一种用于TDLAS气体检测系统的标定方法

    公开(公告)号:CN118518631B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410979537.0

    申请日:2024-07-22

    IPC分类号: G01N21/39

    摘要: 本发明涉及TDLAS气体检测技术领域,公开了一种用于TDLAS气体检测系统的标定方法,包括构建TDLAS气体检测系统;所述TDLAS气体检测系统包括设置在可调谐激光器与光电探测器之间的波长选择器件,所述波长选择器件的特征波长与待标定的激光波长相对应;根据波长选择器件的特征波长产生随时间变化的驱动电流,获取检测得到的激光强度随时间的变化关系数据;根据激光强度随时间的变化关系数据生成激光强度随时间变化曲线,确定激光强度随时间变化曲线的特征点;根据激光强度随时间变化曲线的特征点的对应时间确定该时间所产生的驱动电流,得到标定结果。本发明提高了气体检测的安全性,并且提高了气体检测的可操作性和检测效率。

    一种可重构高线性低功耗放大器

    公开(公告)号:CN117318635B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311598540.X

    申请日:2023-11-28

    摘要: 本发明公开了一种可重构高线性低功耗放大器,属于集成电路设计技术领域,其包括第一单刀双掷开关网络、第一巴伦网络、第一巴伦开关网络、第一高线性放大网络、第二高线性放大网络、第二巴伦开关网络、第二巴伦网络和第二单刀双掷开关网络;本发明具有可重构特性,可实现两种结构的高线性放大器:高谐波抑制高线性放大器和低功耗高线性放大器,两种可实现的高线性放大器均具有宽带特性和工艺、温度波动自适应能力,由于第一和第二高线性放大网络均采用共源共栅结构,该结构不仅具有低功耗特性,还可以很好地减小米勒效应,拓宽频带,故可以很好地在宽频带内实现高线性。

    一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片

    公开(公告)号:CN116886054B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311134958.5

    申请日:2023-09-05

    IPC分类号: H03F1/30 H03H11/04 H03B19/14

    摘要: 本发明公开了一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片,属于集成电路设计技术领域,包括依次连接的基波放大限幅网络、谐波滤波倍频网络和谐波放大网络。本发明中基波放大限幅网络通过两级共源放大单元结合两级PIN型限幅单元实现基波信号的放大和功率限幅;谐波滤波倍频网络采用有源倍频结构结合滤波单元实现对谐波、杂波信号进行抑制后对基波信号进行谐波倍频;谐波放大网络采用四级放大结构结合温补单元和滤波单元,对基波和其他谐波信号进行抑制后,对谐波倍频信号进行放大温补。本发明具有高增益、高谐波抑制、功率温补和高集成度等优点。

    一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片

    公开(公告)号:CN116886054A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202311134958.5

    申请日:2023-09-05

    IPC分类号: H03F1/30 H03H11/04 H03B19/14

    摘要: 本发明公开了一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片,属于集成电路设计技术领域,包括依次连接的基波放大限幅网络、谐波滤波倍频网络和谐波放大网络。本发明中基波放大限幅网络通过两级共源放大单元结合两级PIN型限幅单元实现基波信号的放大和功率限幅;谐波滤波倍频网络采用有源倍频结构结合滤波单元实现对谐波、杂波信号进行抑制后对基波信号进行谐波倍频;谐波放大网络采用四级放大结构结合温补单元和滤波单元,对基波和其他谐波信号进行抑制后,对谐波倍频信号进行放大温补。本发明具有高增益、高谐波抑制、功率温补和高集成度等优点。

    一种低功耗自适应补偿线性放大器

    公开(公告)号:CN116827278A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202311103913.1

    申请日:2023-08-30

    IPC分类号: H03F1/32 H04W52/52 H03F1/56

    摘要: 本发明公开了一种低功耗自适应补偿线性放大器,属于集成电路设计技术领域,其包括与自适应可调谐放大网络连接的自适应基极电容补偿调谐网络和自适应偏置控制网络;本发明利用自适应基极电容控制技术和自适应偏置控制技术,有效控制堆叠级间阻抗匹配和泄露电流,从而提高回退效率和线性度指标,尤其可以改善毫米波频段大信号和小信号堆叠的时候电容泄露较多的难题,从而使得整个电路具有低功耗和高线性度的特性。