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公开(公告)号：CN118782479A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411172051.2
申请日：2024-08-26
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
摘要： 陶瓷管壳封装裸芯自动涂胶贴片治具，涉及集成电路封装技术。本发明包括产品腔体定位板和固定座，产品腔体定位板和固定座皆设置有层间定位结构，产品腔体定位板设置有定位方孔，其特征在于，在对应于定位方孔的位置，固定座的内部或者表面设置有磁铁。本发明具有低成本、高效率和通用性强的特点。
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公开(公告)号：CN112865793B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110052376.7
申请日：2021-01-15
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
发明人： 唐书林
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 数模转换器的校准转换方法，涉及集成电路技术，本发明包括下述步骤：A、将转换电路按照数字信号位分为高位段和低位段，高位段的位数赋值给m；高位段的位数赋值给n；B、低位段转换；C、高位段转换；D、高位段转换和低位段转换叠加；其中，步骤C包括：将各高位段电流源反复对折得到最终的等效电流源和校准电流源，将各级校准电流源与其所含高位段电流源的对应关系记录为高位DAC译码方案，并按照该方案控制各高位段电流源到输出线的接入开关。本发明从根本上提高匹配器件的匹配精度来提高DAC的精度，没有校准DAC的使用，避免了工艺中器件匹配精度的限制。
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公开(公告)号：CN116908660A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310811918.3
申请日：2023-07-04
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
IPC分类号： G01R31/317 , G01R31/319
摘要： 一种SOC芯片及测试方法和系统，涉及集成电路技术。本发明提供的SOC芯片包括测试电路单元(T‑Uint)和被测电路单元；所述测试电路单元(T‑Uint)包括：测试I/O引脚、测试I/O通路控制器、测试I/O属性控制器、测试模式进入控制器、测试操作模式控制器、测试总线模式控制器、测试总线主从控制器；所述测试I/O引脚用于测试主机与SOC芯片的通信及控制通路。本发明采用结构化的测试电路单元设计，适用于不同的SOC芯片的测试需求。
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公开(公告)号：CN116820858A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310817699.X
申请日：2023-07-05
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
IPC分类号： G06F11/22 , G06F11/263
摘要： 一种SOC芯片测试方法及系统，涉及集成电路技术。本发明的测试方法包括测试用例集初始化、测试用例集创建、测试用例集运行、测试用例集释放。本发明还提供了一种SOC芯片测试系统，包括测试用例集管理单元、测试空间管理单元、测试用例集单元、被测模块驱动程序单元、被测模块单元、RAM空间。本发明能以较少的RAM占用，实现对SOC芯片多个模块多个测试用例的统一高效管理，且便于测试结果汇总，能大大提高SOC芯片测试质量及效率。
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公开(公告)号：CN111653624A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010365832.9
申请日：2020-04-30
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/337 , H01L21/8238 , H01L27/098
摘要： NJFET器件及制备方法，涉及半导体技术，本发明的NJFET器件包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区和栅区嵌入P阱。本发明可以使现有P衬底N外延SOI互补双极工艺支持NJFET器件，使得该工艺可以同时包含PJFET和NJFET器件两种互补的JFET器件。
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公开(公告)号：CN116400771A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310395982.8
申请日：2023-04-14
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
发明人： 刘欢
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 双极运放失调电压修调电路，涉及集成电路技术，本发明包括第十PJFET管(Q10)、第十一PJFET管(Q11)、第十二PJFET管(Q12)、第十三PJFET管(Q13)、第十四PJFET管(Q14)、第十五PJFET管(Q15)、第十六PJFET管(Q16)、第十七PNP三极管(Q17、第十八PNP三极管(Q18)、第十九PNP三极管(Q19)、第二十PNP三极管(Q20)、第二十一PJFET管(Q21)、第二十二PJFET管(Q22)、第二十三NPN三极管(Q23)、第二十四PNP三极管(Q24)、第二十五NPN三极管(Q25)、第二十六PNP三极管(Q26)、第二十七PNP三极管(Q27)、第二十八PNP三极管(Q28)、第二十九PNP三极管(Q29)；本发明采用较少的器件、熔丝和修调PAD实现了双极型运放的失调电压修调，修调精度高。
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公开(公告)号：CN112865793A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110052376.7
申请日：2021-01-15
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
发明人： 唐书林
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 数模转换器的校准转换方法，涉及集成电路技术，本发明包括下述步骤：A、将转换电路按照数字信号位分为高位段和低位段，高位段的位数赋值给m；高位段的位数赋值给n；B、低位段转换；C、高位段转换；D、高位段转换和低位段转换叠加；其中，步骤C包括：将各高位段电流源反复对折得到最终的等效电流源和校准电流源，将各级校准电流源与其所含高位段电流源的对应关系记录为高位DAC译码方案，并按照该方案控制各高位段电流源到输出线的接入开关。本发明从根本上提高匹配器件的匹配精度来提高DAC的精度，没有校准DAC的使用，避免了工艺中器件匹配精度的限制。
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公开(公告)号：CN116545392A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310372485.6
申请日：2023-04-10
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
发明人： 刘欢
摘要： 全共模范围失调电压修调运算放大器，涉及集成电路技术，本发明包括运放电路和修调电路，其特征在于，所述修调电路包括第一电流源(101)～第七电流源(107)，以及第十五NMOS管(M15)～第三十PMOS管(M30)，第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接正性电平输入线。本发明在将轨到轨输入运放的全共模范围失调电压修正到目标值以内的同时，输入失调电压几乎不随共模电压的变化而变化，提高了运放全共模范围的线性度。
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公开(公告)号：CN118783951A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410995127.5
申请日：2024-07-24
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03K19/20
摘要： 可预修调的熔丝修调电路，涉及集成电路技术，本发明包括下述部分：D触发器，其D端接修调码输入端；或非门，其第一输入端接修调信号输入端，第二输入端接D触发器的#imgabs0#端；开关管，其电流输入端接参考点，电流输出端接地，参考点通过熔丝接高电平；电流镜，其原电流支路由电流源提供原电流，参考点通过镜像电流支路接地；或门，其一个输入端接接D触发器的#imgabs1#端，另一个输入端接预熔断信号输入端；与非门，其一个输入端接参考点，另一个输入端接或门的输出端，其输出端作为修调状态输出端。本发明可实现芯片更高精度的修调。
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公开(公告)号：CN118300432A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310970401.9
申请日：2023-08-03
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
摘要： 霍尔电流转换电路和交直流转换电路，涉及电子技术，特别涉及集成电路技术。霍尔电流转换电路包括：由交流导线构成的交变电磁场生成单元；由掺杂半导体材料构成的霍尔转换单元，位于交变电磁场生成单元产生的交变电磁场的有效范围内；霍尔转换单元的两个霍尔电压侧各设置有一个直流电极，两个电流侧各设置有一个交流电极，有一个交流电极与交流导线连接。与常规的交直流转换电路相比，采用本发明技术的器件不使用晶体管元件，因此不存在易受外部辐射环境影响的半导体结区，从而具有较强的抵抗外部辐射影响的能力。
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