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公开(公告)号：CN112701194A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011595645.6
申请日：2020-12-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上，对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升，从而提升电池片的短路电流，将电池背面膜层的方块电阻降低，从而获得高的填充因子，从而带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。
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公开(公告)号：CN112652679A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011462397.8
申请日：2020-12-11
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/673 , C23C16/458 , C23C16/54
摘要： 本发明公开了一种板式TCO镀膜载板结构，包括基座和多个载板；基座具有多个载台；多个载板分别固定在多个载台上部。本发明通过将大尺寸载板分成若干个小尺寸载板，并分别安装固定在分割为多个载台的基座上，能够降低TCO镀膜过程中载板形变风险，增加抗性，同时减少TCO镀膜载板喷砂维护运输成本。
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公开(公告)号：CN112701194B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011595645.6
申请日：2020-12-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上，对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升，从而提升电池片的短路电流，将电池背面膜层的方块电阻降低，从而获得高的填充因子，从而带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。
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公开(公告)号：CN112713200A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011587193.7
申请日：2020-12-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种优化型异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第二导电膜层的厚度比所述第一导电膜层的厚度厚10±3nm。本发明提供了一种优化型异质结太阳能电池及其制备方法，本发明制备工艺在原有工艺的基础上，对正面和背面的导电膜层采用不同的薄膜厚度，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时将电池背面膜层的方块电阻继续降低，从而获得高的填充因子，带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。
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公开(公告)号：CN112701181A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011586919.5
申请日：2020-12-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种低电阻率异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极。本发明制备工艺在原有工艺的基础上，在制备透明导电薄膜层时，通入适当的H原子，使H原子与薄膜内的部分O原子结合，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时可将电池膜层的载流子浓度提升，从而降低电阻率，优化电池片的填充因子，从而带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。
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公开(公告)号：CN110952080A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910985097.9
申请日：2019-10-16
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种用于异质结高效电池PECVD舟结构，包括：舟片、卡座、固定杆和石英工艺管；多片所述舟片均与所述卡座平行且层叠设置，相邻两所述舟片设有间隔，并固定在所述固定杆上；所述固定杆一端与所述卡座固定，另一端通过螺母与顶层的舟片固定；所述舟片、所述固定杆和所述卡座组装后，设置在所述石英工艺管内；本发明舟结构采用非垂直方式进入石英工艺管内，无需卡点设计，依靠硅片自重同舟片紧密贴合，避免卡点印迹，增加了有效钝化面积，改善成品电池片外观问题；同时还可以避免绕镀，降低漏电风险，大大降低自动化取放片过程中，舟片同硅片表面之间的摩擦损伤。
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公开(公告)号：CN110993700A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910984247.4
申请日：2019-10-16
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备工艺，异质结太阳电池包括：N型单晶硅片、本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层、本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层、导电性薄膜层和金属电极，N型单晶硅片的正面依次沉积本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层，N型单晶硅片的背面依次沉积本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层；本征N型非晶硅层和本征P型非晶硅层的外侧均沉积有导电性薄膜层，导电性薄膜层的外侧均印刷有金属电极。本发明导电性薄膜层结构导电层面积较大，掩膜区域宽度较小，且不容易出现绕镀的现象，不会覆盖N型硅片的边缘导致异质结短路，不需要考虑短接导致漏电流过高的情况，从而有利于提升异质结太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN110943144A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911204253.X
申请日：2019-11-29
申请人： 晋能清洁能源科技股份公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种异质结电池的制绒清洗方法，该方法包括：采用SC1对原硅片预清洗；对硅片粗抛去损处理；臭氧体系溶液清洗；对硅片进行制绒；采用SC1或臭氧体系溶液清洗；对硅片腐蚀，进行光滑圆整处理；采用SC2或臭氧体系溶液清洗；烘干；并在SC1或臭氧体系溶液清洗、光滑圆整处理、SC2或臭氧体系溶液清洗、烘干流程前均增加HF酸洗流程。通过本发明的清洗方法，保证了硅片表面完全洁净，获得较优表面形貌，极大程度得提高了HJT电池的性能。
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公开(公告)号：CN112466978A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011262779.6
申请日：2020-11-12
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括：单晶硅片基底；单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；透明导电薄膜上均设有金属电极。本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下，通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备，在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta，从设备及工艺两个方向达到降本的目的。本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层，使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。
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公开(公告)号：CN112466990A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011265034.5
申请日：2020-11-12
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制备工艺，包括如下步骤：用碱液对硅片进行抛光处理；对硅片进行高温及磷吸杂处理，在硅片正背表面沉积形成磷扩散层；通过碱溶液去除磷扩散层，形成硅片表面的织构化；在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层；在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极；固化金属电极；测试分选。本发明提供的一种异质结太阳能电池的制备工艺，极大程度上改善了生产过程中硅片品质问题带来的影响，从而进一步提升了异质结太阳能电池的转换效率。
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