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公开(公告)号：CN115044110A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210530409.9
申请日：2022-05-16
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明涉及聚烯烃介电材料合成技术领域，且公开了一种POSS‑二(三氟甲基)联苯‑TiO2改性聚烯烃复合材料的制备方法，包括：通过PDA‑TiO2杂化介电单体的苯基官能团与2，2‑二(三氟甲基)二氨基联苯的氨基官能团发生迈克尔加成反应，得到端氨基二(三氟甲基)联苯‑TiO2杂化介电单体；通过端氨基二(三氟甲基)联苯‑TiO2杂化介电单体的氨基官能团与3‑氯丙基POSS的氯官能团发生取代反应，得到POSS‑二(三氟甲基)联苯‑TiO2杂化介电单体；以POSS‑二(三氟甲基)联苯‑TiO2杂化介电单体为填料制得介电性能优异的POSS‑二(三氟甲基)联苯‑TiO2改性聚烯烃复合材料。
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公开(公告)号：CN112601390A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110152966.7
申请日：2021-02-04
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的绝缘层，设置在绝缘层上的传感器电路层，绝缘层由氧化铝以不同工艺分次逐层淀积构成。本发明利用电子束蒸发工艺快速制作氧化铝绝缘层，借助原子层堆积工艺的台阶覆盖能力制备的氧化铝绝缘层会将通过电子束蒸发工艺制作的氧化铝绝缘层中的针孔覆盖住，确保传感器电路层与金属基底之间不会出现短路；同时通过原子层堆积工艺制作的氧化铝绝缘层厚度在10～500 nm，不会产生大量的时间和成本；本发明的结构简单，在不增加时间及成本的前提下，解决了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境条件下使用时出现短路的难题。
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公开(公告)号：CN113513427A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202111000593.8
申请日：2021-08-30
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种冷却转能量空天发动机，其能量室(燃烧室)内有点火或能量发射装置，对工质进行点火或赋予能量；能量室内壁分布小孔，小孔通过导管等装置输入工质；能量室通过内喷管与内喷口相连；能量室外壁及内喷管外壁有温度探测器，用温度信号线与温控器连通；在能量室和内喷管上套装冷却罩，且它们之间有空腔，形成外喷管及外喷口；冷却罩内壁分布有小孔喷管，其一端用冷却水管与水压调控器和恒温水箱相连接。所述冷却罩及管路等装置将散热转化成推进能量，增加了发动机结构及材料强度，为其使用新技术和高能工质创造了条件，大幅提高能量室内工质的能量密度和做功温度，增加比冲量，能长时间运行，重复使用，适用于各种空间任务。
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公开(公告)号：CN112601368A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110152953.X
申请日：2021-02-04
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，在第三绝缘层上设置的传感器电路层，在第三绝缘层上设置或不设置覆盖第三绝缘层和传感器电路层的保护层。本发明由于氮化硅绝缘层不与金属基底接触，杜绝了其在高温环境下与金属基底发生反应的可能；同时由于氮化硅绝缘层的隔离，使得氧化铝绝缘层中的针孔被阻隔，从而不会导致传感器电路层与金属基底之间的短路，确保了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境下使用时的绝缘能力。
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公开(公告)号：CN113321179B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110573749.5
申请日：2021-05-25
申请人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基底上成功制作传感器的难度。
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公开(公告)号：CN112601390B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110152966.7
申请日：2021-02-04
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的绝缘层，设置在绝缘层上的传感器电路层，绝缘层由氧化铝以不同工艺分次逐层淀积构成。本发明利用电子束蒸发工艺快速制作氧化铝绝缘层，借助原子层堆积工艺的台阶覆盖能力制备的氧化铝绝缘层会将通过电子束蒸发工艺制作的氧化铝绝缘层中的针孔覆盖住，确保传感器电路层与金属基底之间不会出现短路；同时通过原子层堆积工艺制作的氧化铝绝缘层厚度在10～500 nm，不会产生大量的时间和成本；本发明的结构简单，在不增加时间及成本的前提下，解决了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境条件下使用时出现短路的难题。
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公开(公告)号：CN118315196A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210596586.7
申请日：2022-05-30
申请人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种快充高储能蓄放电装置。包括单层电容器群、充电接头装置、正、负极插头、放电装置、正、负极总导线和封装外壳；将单层电容器群的每个电容器并联，矩阵排列，以电场控制电荷进行充放电；绝缘材料板选用可刻划材质，并在上面用微刻、雕、铸等法制作大量电容器正负电极板和相对应的电极引出线的卡槽，同时将每个电容器金属材料正或负电极板嵌入卡槽内，通过中间的绝缘介质一同构成单层电容器群；每个电容器进行并联，从而组成一排电容器群，每排电容器群再进行并联，组成一个单层电容器群。本发明可以解决电池能量密度低，性能受温度影响大，成本高，体积和重量大，危险性高，环境污染，充电时间长，充电次少等技术问题。
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公开(公告)号：CN113321179A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110573749.5
申请日：2021-05-25
申请人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基底上成功制作传感器的难度。
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公开(公告)号：CN113097120A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110384542.3
申请日：2021-04-09
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法，在玻璃基底上设置一层聚酰亚胺下绝缘层，在其上表面制作传感器电路层，在传感器电路层上设置聚酰亚胺上绝缘层并软烘固化处理，处理后对聚酰亚胺上绝缘层的上表面刻蚀，刻蚀后设置上粘结剂层，同时将上金属铝箔基底压在上粘接剂层上形成半成品，而后对半成品加热使上粘结剂层软烘和固化，同时对上金属铝箔基底滚动施压消除气隙；固化后的半成品浸泡，使聚酰亚胺下绝缘层与玻璃基底分离；重复刻蚀及后续步骤，滚动施压后制备薄膜传感器。本发明成本低，操作简单、易于实现，仅利用玻璃亲水性便完成分离，通过刻蚀提升粘接效果，实现了嵌入式封装，使传感器嵌入金属箔中，得到有效保护。
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公开(公告)号：CN112601354A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110152676.2
申请日：2021-02-04
申请人： 曹建峰
发明人： 曹建峰
摘要： 本发明公开了一种嵌入式薄膜传感器，包括依次连接金属基底层、基底粘接层、绝缘层、上粘接层、种子层、封装层，传感器电路层嵌入在绝缘层中，传感器电路的焊盘裸露在外用于连接。本发明采用嵌入式结构使传感器得到完全的保护，满足更加恶劣条件下的使用；绝缘层复合结构既解决了单纯采用电子束蒸发淀积的氧化铝作为绝缘层不能实现绝缘功能的难题，同时解决了单纯采用等离子增强化学气相沉积工艺淀积的氮化硅在高温使用条件下易与金属基底发生反应而导致绝缘失败的难题，同时也解决了应对高温条件单纯采用原子层堆积淀积一定厚度绝缘层所花费的大量时间和成本问题，原子层淀积厚10‑500nm氧化铝属正常范围；防护层制作工艺简单、时间短、成本低、强度高。
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