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公开(公告)号：CN115745603B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211270785.5
申请日：2022-10-17
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明提供一种大尺寸高性能氧化铌靶材的制备方法，属于光电材料技术领域，所述制备方法是取氧化铌粉体、活化剂碳粉和还原剂混匀后，所得粉体均匀装入模具中，经单片初压，所得粗坯升温至1100～1150℃，再采用多段、双向加压的方式加压至25～38MPa进行真空热压烧结，再以1.8～2.2℃/min慢降温至580～620℃，然后泄压、自然降温，即得所述大尺寸高性能氧化铌靶材。本发明制备的大尺寸高性能氧化铌靶材的最大面积可达1900cm2，性能均一，解决了大尺寸靶材质量不匀的问题。
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公开(公告)号：CN108585868B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810568118.2
申请日：2018-06-05
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300‑1550℃，烧结压力25‑38MPa，并保温保压2‑5h，烧结完成后，降温至810‑850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108640685A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810795425.4
申请日：2018-07-19
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN108585868A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810568118.2
申请日：2018-06-05
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300-1550℃，烧结压力25-38MPa，并保温保压2-5h，烧结完成后，降温至810-850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN104589461B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201510016239.2
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： B28B1/26 , B29B7/00 , C08L51/06 , C08F265/06 , C08F2/32
摘要： 本发明涉及一种陶瓷旋转靶注浆成形模具及其制作方法，模具包括内模(1)和外模(2)，所述外模(2)中空并上方开口，所述内模(1)为T形并安装固定在外模(2)的中空位置，所述内模(1)的上边缘紧压在所述外模(2)的上边缘，所述内模(1)的外侧壁和外模(2)的内侧壁之间有空腔(3)，所述外模(2)的底部设置有与空腔(3)相通的进浆孔道(4)；所述内模(1)内设置有吹气孔道(5)，所述外模(2)内设置有排水通道(6)等特征。本发明的作用是：本模具材料强度高，可以替代石膏材料的模具，成形出的产品密度高，密度均匀，并且生产周期短，劳动强度低。
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公开(公告)号：CN104589461A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510016239.2
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： B28B1/26 , B29B7/00 , C08L51/06 , C08F265/06 , C08F2/32
摘要： 本发明涉及一种陶瓷旋转靶注浆成形模具及其制作方法，模具包括内模(1)和外模(2)，所述外模(2)中空并上方开口，所述内模(1)为T形并安装固定在外模(2)的中空位置，所述内模(1)的上边缘紧压在所述外模(2)的上边缘，所述内模(1)的外侧壁和外模(2)的内侧壁之间有空腔(3)，所述外模(2)的底部设置有与空腔(3)相通的进浆孔道(4)；所述内模(1)内设置有吹气孔道(5)，所述外模(2)内设置有排水通道(6)等特征。本发明的作用是：本模具材料强度高，可以替代石膏材料的模具，成形出的产品密度高，密度均匀，并且生产周期短，劳动强度低。
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公开(公告)号：CN116102065A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310137992.1
申请日：2023-02-20
申请人： 河北东同光电科技有限公司 , 中国矿业大学(北京)
IPC分类号： C01G33/00
摘要： 本发明公开了一种高纯度五氧化二铌超细粉体的制备方法，将氢氧化铌用草酸溶解支撑草酸铌溶液，随后通过微反应器与氨水反应，将产物经老化、脱水、洗涤、干燥和煅烧后，得到具有较好分散性、高纯度的五氧化二铌超细粉体，粉体纯度比原料大大提高，五氧化二铌百分含量>99.995％。
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公开(公告)号：CN115745603A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211270785.5
申请日：2022-10-17
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/34 , C04B35/645
摘要： 本发明提供一种大尺寸高性能氧化铌靶材的制备方法，属于光电材料技术领域，所述制备方法是取氧化铌粉体、活化剂碳粉和还原剂混匀后，所得粉体均匀装入模具中，经单片初压，所得粗坯升温至1100～1150℃，再采用多段、双向加压的方式加压至25～38MPa进行真空热压烧结，再以1.8～2.2℃/min慢降温至580～620℃，然后泄压、自然降温，即得所述大尺寸高性能氧化铌靶材。本发明制备的大尺寸高性能氧化铌靶材的最大面积可达1900cm2，性能均一，解决了大尺寸靶材质量不匀的问题。
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公开(公告)号：CN111499381B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010336636.9
申请日：2020-04-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理，得到稳定的四方晶型粉体；对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体；将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结，烧结完成后，阶梯降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好，完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求，为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN111499381A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010336636.9
申请日：2020-04-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理，得到稳定的四方晶型粉体；对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体；将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结，烧结完成后，阶梯降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好，完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求，为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
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