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公开(公告)号：CN104557021A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510016571.9
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种高致密性的二氧化钛靶材，其由以下质量百分比原料制成：二氧化钛粉体97.5～99.5％；活化剂铌粉0.5～2.5％。该二氧化钛靶材，密度≥4.15g/cm3，相对密度≥98.8％，致密性均一、无坑点。具体通过混合-常压烧结预处理-真空热压烧结工序制成。该制备方法生产周期短，效率高，能耗低，成本低。
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公开(公告)号：CN103668068A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310728752.5
申请日：2013-12-25
申请人： 河北东同光电科技有限公司
摘要： 一种高致密性氧化铌旋转靶材的制备方法，它涉及一种以氧化铌为基料的陶瓷成型制品的制备方法。本发明是要解决传统喷涂工艺生产出的旋转靶材密度低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、将氧化铌粉体进行预处理；二、采用热压烧结工艺和高温脱模工艺制得旋转靶粗品；三、对旋转靶粗品进行精加工。本发明制备旋转靶材的方法成本低、周期短、能耗低且生产效率高，本发明制得的旋转靶材密度不低于4.59g/cm3，电阻率小于9×10-3Ω.cm，导电性好，成品率高。本发明用于太阳能电池、液晶显示器、离子显示器、手机触屏、光学玻璃和气体传感器领域。
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公开(公告)号：CN103643207A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310731271.X
申请日：2013-12-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
摘要： 一种高性能ZAO旋转靶材的制备方法，它涉及一种含氧化锌掺铝的陶瓷靶材成型的制备方法。本发明是要解决目前制备ZAO旋转靶材采用喷涂方法设备昂贵，制备的靶材密度低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、将ZAO粉体在模具中压制成粗坯；二、采用真空热压烧结工艺制得ZAO旋转靶材。本发明的制备方法方法简便易行、效率高、耗能低，且制备过程中无需添加任何助剂；本发明制备的ZAO旋转靶材致密性好、电阻率低。本发明可用于防结雾风挡玻璃、隔热防辐射玻璃、液晶显示器、触屏玻璃和增透减反玻璃等领域。
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公开(公告)号：CN103572236B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310543395.5
申请日：2013-11-06
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明涉及一种高性能的氧化铌靶材，其由以下质量比原料制成：89~98.8%氧化铌粉体，0.2~1%活化剂碳粉，1~10%还原剂，所述还原剂选自铌粉或钽粉。本发明同时还提供了上述氧化铌靶材的制备方法。本发明具有以下优点：（1）制备方法效率高：靶材烧结周期短，只有10~15小时；（2）靶材性能优：密度高，可达到相对密度的99.95%以上；导电性好，电阻率3×10-3~9×10-3Ω·cm；致密性均一、无坑点。
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公开(公告)号：CN103572236A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310543395.5
申请日：2013-11-06
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明涉及一种高性能的氧化铌靶材，其由以下质量比原料制成：89~98.8%氧化铌粉体，0.2~1%活化剂碳粉，1~10%还原剂，所述还原剂选自铌粉或钽粉。本发明同时还提供了上述氧化铌靶材的制备方法。本发明具有以下优点：（1）制备方法效率高：靶材烧结周期短，只有10~15小时；（2）靶材性能优：密度高，可达到相对密度的99.95%以上；导电性好，电阻率3×10-3~9×10-3Ω·cm；致密性均一、无坑点。
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公开(公告)号：CN108585868B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810568118.2
申请日：2018-06-05
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300‑1550℃，烧结压力25‑38MPa，并保温保压2‑5h，烧结完成后，降温至810‑850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108640685A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810795425.4
申请日：2018-07-19
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN108585868A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810568118.2
申请日：2018-06-05
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300-1550℃，烧结压力25-38MPa，并保温保压2-5h，烧结完成后，降温至810-850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN104589461B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201510016239.2
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： B28B1/26 , B29B7/00 , C08L51/06 , C08F265/06 , C08F2/32
摘要： 本发明涉及一种陶瓷旋转靶注浆成形模具及其制作方法，模具包括内模(1)和外模(2)，所述外模(2)中空并上方开口，所述内模(1)为T形并安装固定在外模(2)的中空位置，所述内模(1)的上边缘紧压在所述外模(2)的上边缘，所述内模(1)的外侧壁和外模(2)的内侧壁之间有空腔(3)，所述外模(2)的底部设置有与空腔(3)相通的进浆孔道(4)；所述内模(1)内设置有吹气孔道(5)，所述外模(2)内设置有排水通道(6)等特征。本发明的作用是：本模具材料强度高，可以替代石膏材料的模具，成形出的产品密度高，密度均匀，并且生产周期短，劳动强度低。
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公开(公告)号：CN104589461A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510016239.2
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： B28B1/26 , B29B7/00 , C08L51/06 , C08F265/06 , C08F2/32
摘要： 本发明涉及一种陶瓷旋转靶注浆成形模具及其制作方法，模具包括内模(1)和外模(2)，所述外模(2)中空并上方开口，所述内模(1)为T形并安装固定在外模(2)的中空位置，所述内模(1)的上边缘紧压在所述外模(2)的上边缘，所述内模(1)的外侧壁和外模(2)的内侧壁之间有空腔(3)，所述外模(2)的底部设置有与空腔(3)相通的进浆孔道(4)；所述内模(1)内设置有吹气孔道(5)，所述外模(2)内设置有排水通道(6)等特征。本发明的作用是：本模具材料强度高，可以替代石膏材料的模具，成形出的产品密度高，密度均匀，并且生产周期短，劳动强度低。
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