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公开(公告)号：CN116533127B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310825010.8
申请日：2023-07-06
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及一种抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。采用本方法能够实现基于定盘的初始盘型进行分析，确定可以在初始盘型上研磨达到目标平整度的加压策略，解除定盘盘型对抛光的限制，在实现待抛光物的平整度的同时，达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。
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公开(公告)号：CN116787331A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202311005660.4
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种抛光液供给系统及晶圆抛光机，该抛光液供给系统应用于晶圆抛光机，该抛光液供给系统包括：中心轴，开设有进液流道；及第一转动件，转动连接于中心轴，开设有出液流道，出液流道用于连通供液通道；进液流道连通出液流道。因为进液流道、出液流道均位于抛光液供给系统内，所以抛光液在流动过程中始终不会暴露于外界。因此，外界的杂质无法通过抛光液进入晶圆抛光机流入上盘，这能够避免外界的杂质对晶圆的抛光过程造成负面影响而导致晶圆的抛光品质降低。而且，因为抛光液没有暴露于外界，所以抛光液不容易挥发，晶圆抛光机上由挥发的抛光液形成的结晶便会显著减少，这能够减轻晶圆抛光机的清洁负担。
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公开(公告)号：CN116705691B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310995154.8
申请日：2023-08-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种晶片清洁装置及晶片清洁方法，该晶片清洁装置包括：夹持单元，包括固定盘和多个活动设于固定盘的夹爪，多个夹爪沿着固定盘的周向分布；甩干单元，用于带动固定盘运动；检测单元，设有多个且与夹爪一一对应设置，用于检测夹爪对晶片的夹持状态；及调节单元，设有多个且与夹爪一一对应设置，调节单元驱动夹爪活动。本发明的优点在于：在使用本发明提供的晶片清洁装置时，可以通过检测单元检测晶片的夹持状态，以获知晶片夹爪对晶片的夹持力是否过小或过大，从而判断晶片是否处于容易脱落或容易受损的状态；根据检测单元的检测结果，对应的调节单元驱动对应的夹爪活动，以将对应的夹爪对晶片的夹持力调节到合适区间内。
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公开(公告)号：CN116690402A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310995157.1
申请日：2023-08-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及一种抛光机工艺参数调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制所述抛光机进行抛光，并获取所述抛光机内多个区域采集的温度数据和所述抛光机的工艺参数；将所述温度数据、所述工艺参数和待抛光物件的平整度参数输入至预先训练的抛光分析模型，得到目标工艺参数；将所述抛光机的工艺参数实时调整为目标工艺参数。采用本方法能够实现通过调整工艺参数对温度进行灵活控制，达到提高抛光品质的效果。
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公开(公告)号：CN116533127A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310825010.8
申请日：2023-07-06
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及一种抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。采用本方法能够实现基于定盘的初始盘型进行分析，确定可以在初始盘型上研磨达到目标平整度的加压策略，解除定盘盘型对抛光的限制，在实现待抛光物的平整度的同时，达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。
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公开(公告)号：CN116690402B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310995157.1
申请日：2023-08-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及一种抛光机工艺参数调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制所述抛光机进行抛光，并获取所述抛光机内多个区域采集的温度数据和所述抛光机的工艺参数；将所述温度数据、所述工艺参数和待抛光物件的平整度参数输入至预先训练的抛光分析模型，得到目标工艺参数；将所述抛光机的工艺参数实时调整为目标工艺参数。采用本方法能够实现通过调整工艺参数对温度进行灵活控制，达到提高抛光品质的效果。
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公开(公告)号：CN116448027A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310716481.5
申请日：2023-06-16
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶圆测量系统及晶圆测量方法，晶圆测量系统包括视觉装置、移载装置及测量装置，视觉装置包括摄像机，摄像机拍摄的图像信息能够用于确定陶瓷盘的圆心；移载装置包括移动组件及旋转组件，移动组件用于带动旋转组件移动至第一预设位置，在第一预设位置，旋转组件的回转轴线经过圆心；测量装置设置于旋转组件，并能够随旋转组件转动至与每片晶圆对应的位置，并测量对应位置的晶圆的参数。该晶圆测量系统能够通过视觉装置实现对测量装置的自动定位，不需要人工对位或调整；由于测量同一个陶瓷盘上的多个晶圆时只需要对测量装置校零一次，因此还能够简化操作步骤，提高测量效率及测量精度。
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公开(公告)号：CN118471895A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410663145.3
申请日：2023-08-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种晶片清洁装置及晶片清洁方法，该晶片清洁装置包括：夹持单元，包括固定盘和多个活动设于固定盘的夹爪，多个夹爪沿着固定盘的周向分布；甩干单元，用于带动固定盘运动；检测单元，设有多个且与夹爪一一对应设置，用于检测夹爪对晶片的夹持状态；及调节单元，设有多个且与夹爪一一对应设置，调节单元驱动夹爪活动。本发明的优点在于：在使用本发明提供的晶片清洁装置时，可以通过检测单元检测晶片的夹持状态，以获知晶片夹爪对晶片的夹持力是否过小或过大，从而判断晶片是否处于容易脱落或容易受损的状态；根据检测单元的检测结果，对应的调节单元驱动对应的夹爪活动，以将对应的夹爪对晶片的夹持力调节到合适区间内。
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公开(公告)号：CN116787331B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311005660.4
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种抛光液供给系统及晶圆抛光机，该抛光液供给系统应用于晶圆抛光机，该抛光液供给系统包括：中心轴，开设有进液流道；及第一转动件，转动连接于中心轴，开设有出液流道，出液流道用于连通供液通道；进液流道连通出液流道。因为进液流道、出液流道均位于抛光液供给系统内，所以抛光液在流动过程中始终不会暴露于外界。因此，外界的杂质无法通过抛光液进入晶圆抛光机流入上盘，这能够避免外界的杂质对晶圆的抛光过程造成负面影响而导致晶圆的抛光品质降低。而且，因为抛光液没有暴露于外界，所以抛光液不容易挥发，晶圆抛光机上由挥发的抛光液形成的结晶便会显著减少，这能够减轻晶圆抛光机的清洁负担。
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公开(公告)号：CN116448027B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310716481.5
申请日：2023-06-16
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛创芯半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶圆测量系统及晶圆测量方法，晶圆测量系统包括视觉装置、移载装置及测量装置，视觉装置包括摄像机，摄像机拍摄的图像信息能够用于确定陶瓷盘的圆心；移载装置包括移动组件及旋转组件，移动组件用于带动旋转组件移动至第一预设位置，在第一预设位置，旋转组件的回转轴线经过圆心；测量装置设置于旋转组件，并能够随旋转组件转动至与每片晶圆对应的位置，并测量对应位置的晶圆的参数。该晶圆测量系统能够通过视觉装置实现对测量装置的自动定位，不需要人工对位或调整；由于测量同一个陶瓷盘上的多个晶圆时只需要对测量装置校零一次，因此还能够简化操作步骤，提高测量效率及测量精度。
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