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公开(公告)号：CN118237307A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410535773.3
申请日：2024-04-30
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
发明人： 沈晓宇
摘要： 本发明涉及半导体生产设备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底片清理装置。一种碳化硅衬底片清理装置，包括刷毛组件，其安装在底板上，用于清理碳化硅衬底片；吹气组件，其用于对所述刷毛以及所述碳化硅衬底片吹气；驱动组件，其用于对所述挤压部进行挤压。本发明通过驱动组件对挤压部挤压，形变部发生形变，使出气部对刷毛吹气，进而使得刷毛快速摆动，提高刷毛对碳化硅衬底片的刷动频率，刷毛在碳化硅衬底片表面移动的过程中将残留在碳化硅衬底片的碎片残渣快速清理。
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公开(公告)号：CN118723995A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410667934.4
申请日：2024-05-28
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 一种长晶用碳化硅粉料的制备工艺及其使用的用于合成碳化硅粉料的坩埚，属于半导体材料制备技术领域，第一步，取粒径为10μm～80μm的碳粉与粒径为500μm～6000μm的硅粉，以摩尔比1:1进行混合得到第一混料；第二步，将第一步中的第一混料铺设在坩埚内表面上；第三步，将第二步中铺设有第一混料的坩埚放入合成炉中进行高温、低压烧结得到第二混料；第四步，将第三步中的第二混料取出进行破碎筛分后以若干个混料集合进行存储。解决了产出颗粒度为8～40目的粉料在整个粉料产出的占比低的问题。
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公开(公告)号：CN116727962A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310487189.0
申请日：2023-05-04
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
IPC分类号： B23K37/04 , B23K37/047 , B23K9/00 , B23K9/32
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够实现断裂位置处高效稳定接合的晶圆切割用金刚线锯接合修复设备，使接合修复后的金刚线具备良好的内部结构性能，提升使用过程中的耐用性和安全性。该设备包含有起到承托作用的设备基台，以及安装于所述设备基台上的一对夹装定位装置，分别用于对互相断裂分离的两段切割线进行夹装固定，至少其中一个夹装定位装置与所述设备基台之间以一种绕竖直的中心轴线可回转的方式活动安装连接，并驱使一侧切割线的端部向另一侧切割线的端部移动靠近；两个所述夹装定位装置还分别与外部电源的正极和负极相连接，使外部电源与所述夹装定位装置以及互相抵接的切割线之间能够形成电流导通回路。
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公开(公告)号：CN118448305A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410535750.2
申请日：2024-04-30
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体生产设备技术领域，尤其涉及一种用于分离碳化硅衬底片和陶瓷盘的拆卸装置，包括抵持板，其具有插入端，用于进入所述碳化硅衬底片边缘和陶瓷盘的间隙；顶升组件，其间隔设在所述抵持板靠近所述插入端一侧，用于顶升所述碳化硅衬底片边缘；驱动组件，和所述顶升组件连接，用于驱动所述顶升组件依次顶升以将所述碳化硅衬底片边缘和所述陶瓷盘分离，本发明通过插入端进入所述碳化硅衬底片边缘和陶瓷盘的间隙后，利用驱动组件驱动顶升组件依次顶升以将碳化硅衬底片边缘和陶瓷盘分离，避免了碳化硅衬底片边缘破损，使得碳化硅衬底片在抛光后无需加热即可进行卸片，大幅减少了产品加工时间。
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公开(公告)号：CN116825666A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310708728.9
申请日：2023-06-15
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 本发明属于硅片加工设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅衬底片脱胶设备，包括外壳，所述外壳的一侧设有控制面板，所述外壳内部依次排列的喷淋储液槽、喷淋槽、脱胶槽、超声波清洗槽和回收储液槽，所述喷淋储液槽与所述喷淋槽连接，所述超声波清洗槽与所述回收储液槽连接；所述喷淋储液槽与所述喷淋槽之间的间隙中设有上料小车，所述超声波清洗槽与所述回收储液槽之间的间隙中设有下料小车；所述上料小车上设有脱胶支架；所述外壳内上端固定连接有机械臂，所述机械臂驱动所述脱胶支架。本发明能够自动上料、下料进行超声波清洗，清洁力度更强且更稳定，容易操作，节约人力和时间。
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公开(公告)号：CN116525426A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310332157.3
申请日：2023-03-27
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/04 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种降低碳化硅衬底片翘曲度的方法，属于半导体材料技术领域。一种降低碳化硅衬底片翘曲度的方法，包括以下步骤：a、提供一面为凸起面另一面为凹陷面的碳化硅衬底片；b、在所述凹陷面的中心处贴上垫片；c、将碳化硅衬底片以贴有垫片的面朝向吸盘的方式吸附在减薄机的吸盘上，使凸起面保持凸起，然后对凸起面进行减薄加工，使碳化硅衬底片在凸起面的不同部位产生不同的移除量；d、然后对另一面进行减薄，调整所述碳化硅衬底片的整体厚度。本发明通过对bow值偏大的碳化硅衬底片，在其凹陷面的凹陷处贴垫片的方式，达到凸起部位的移除量大于其他部位的移除量的效果，从而起到改善bow值的作用。
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公开(公告)号：CN219583283U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202321333681.4
申请日：2023-05-30
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型属于多线切割配件技术领域，尤其是涉及一种切割机晶托，包括位于机架上的夹持块和设置于所述夹持块上的粘板，所述粘板两端对称设有过滤板；所述夹持块远离所述粘板的一侧设有两组活动导轨，所述活动导轨与机架活动连接，所述导轨截面为T型。本实用新型能够有效过滤切割钢丝上的裹挟物，提高切片切面的平整度、光滑度。
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公开(公告)号：CN219855377U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202321333757.3
申请日：2023-05-30
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型属于晶体切割技术领域，尤其是涉及一种刻槽主辊及其切割设备，包括主辊本体，所述主辊本体上均匀设有若干刻槽，所述刻槽的底部中部与其相邻刻槽底部之间的槽距取值范围为0.592毫米至0.598毫米，所述刻槽底部两侧的侧壁之间的距离沿向底部方向依次缩小，所述刻槽内的钢丝直径大于所述刻槽底部的宽度。本实用新型能够减少晶体材料的损耗，提升晶体的出片率。
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公开(公告)号：CN219632468U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321027753.2
申请日：2023-05-04
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
IPC分类号： B21F15/08
摘要： 本实用新型的目的在于提供一种能够精确控制对金刚线进行夹装固定时压力大小以起到减少金刚线变形损伤的断裂切割线接合用对正固定装置，该装置包含有主体模块以及能够沿所述主体模块进行上下升降移动的夹装模块，所述夹装模块与所述主体模块之间形成有夹装区域，所述主体模块与所述夹装模块之间还形成有用于驱使所述夹装模块相对于所述主体模块进行升降运动的驱动机构以及用于对夹装切割线所施加的作用力进行限制的压力限制机构。
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公开(公告)号：CN219633359U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321248421.7
申请日：2023-05-23
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型属于精密仪器加工技术领域，尤其是涉及一种倒角机加工防护装置，包括固定安装于机架上的固定板和与所述固定板活动连接的夹持块，所述夹持块为中部设有防护板；所述夹持块包括底板和位于所述底板相对两侧的挡板，所述底板设有挡板的一侧与所述固定板活动连接；所述固定板与所述夹持块另设有用于相互固定的卡扣结构。本实用新型结构简单，容易安装，能够避免操作人员误碰，减少了不良晶片的产生。
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