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公开(公告)号：CN118693068A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410709514.8
申请日：2024-06-03
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 田新城
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种射频器件和电子器件。该射频器件至少包括：芯片本体和封装基板；所述芯片本体至少包括一组特征电容组件；其中，所述特征电容组件为所述芯片本体中的任意功能电容；特征电感组件，由所述封装基板表面的封装走线绕制而成，所述特征电感组件和所述特征电容组件电连接构成特征谐振电路，所述特征谐振电路的第一端与所述芯片本体电连接，所述特征谐振电路的第二端接地，所述特征谐振电路的谐振频率与特定干扰频率相同，所述特征谐振电路用于过滤所述特定干扰频率。提供了一种具有低成本滤波器，易集成，且面积较小的射频器件。
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公开(公告)号：CN117833643A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311792362.4
申请日：2023-12-22
申请人： 睿远智芯微电子(上海)有限公司 , 芯睿微电子(昆山)有限公司
摘要： 本申请实施例涉及电子器件技术领域，具体地，涉及一种射频驱动电压产生电路和射频器件，该射频驱动电压产生电路包括：正压产生模块和负压产生模块，其中：多组所述倍压电路的第一级倍压电路的输入端用于连接输入电源，多组所述倍压电路的控制端用于接收控制信号；多组所述倍压电路用于将所述输入电源的电压倍压至目标正电；负压产生模块的输入端与所述多组所述倍压电路的最后一级倍压电路的输出端电连接，所述负压产生模块的输出端用于连接所述射频元件的负压控制端，所述负压产生模块用于将所述目标正电转换为目标负电并输出。提供一个较宽范围的驱动电压。
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公开(公告)号：CN117707028A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410167938.6
申请日：2024-02-06
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 陈波
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本申请实施例提供了一种涉及无线通信技术领域，具体地，涉及一种射频模式控制电路、射频控制芯片和射频芯片。该射频模式控制电路包括：信号输入设备，用于产生并输出第一电平信号和第二电平信号；模式切换器的第一控制输入端和模式切换器的第二控制输入端分别与信号输入设备电连接，模式切换器的电源端用于连接输入电源，输出控制端用于连接待模式切换的射频器件，用于根据输入电源的输入电平和第一电平信号产生第一控制信号并基于第一控制信号控制射频器件在第一状态模式下工作；以及根据第二电平信号产生第二控制信号，并基于第二控制信号控制射频器件在第二状态模式下工作。提供了一种可以同时兼容GPIO和MIPI模式的芯片。
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公开(公告)号：CN117097310B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311308950.6
申请日：2023-10-11
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 陈波
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本申请实施例提供了一种具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路。器件包括下电快速稳定电路；下电快速稳定电路包括负压第一释放电路，包括：第一NMOS管MN1，第一NMOS管MN1的控制端接地，第一NMOS管MN1的源端接驱动电路的负压端；第二PMOS管MP2，第一NMOS管MN1的漏端和第二PMOS管MP2的漏端连接；第一PMOS管MP1，第二PMOS管MP2的源端和第一PMOS管MP1的漏端连接，第一PMOS管MP1的源端接地；当器件进入关闭状态时，负压第一释放电路放电。本申请实施例解决了传统的器件在电源下电后再次启动时候，等待非常长的时间的技术问题。
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公开(公告)号：CN117375592A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311309554.5
申请日：2023-10-11
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 陈波
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本申请实施例提供了一种具有释放寄生电容电路的器件及释放寄生电容电路。器件包括释放寄生电容电路、驱动电路和器件电路本体；所述驱动电路的正压端连接正压PVDD且负压端连接负压NVDD，所述驱动电路与所述器件电路本体连接为所述器件电路本体供电；释放寄生电容电路连接在所述驱动电路的正压端和负压端；其中，所述释放寄生电容电路，用于在器件下电时启动，通过所述驱动电路的正压端和负压端将器件电路本体内的寄生电容进行释放。本申请实施例解决了传统的器件在电源下电后因器件电路本体内的寄生电容导致再次启动时候时，需要等待非常长的时间的技术问题。
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公开(公告)号：CN117097310A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311308950.6
申请日：2023-10-11
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 陈波
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本申请实施例提供了一种具有下电快速稳定电路的器件及下电快速稳定电路。器件包括下电快速稳定电路；下电快速稳定电路包括负压第一释放电路，包括：第一NMOS管MN1，第一NMOS管MN1的控制端接地，第一NMOS管MN1的源端接驱动电路的负压端；第二PMOS管MP2，第一NMOS管MN1的漏端和第二PMOS管MP2的漏端连接；第一PMOS管MP1，第二PMOS管MP2的源端和第一PMOS管MP1的漏端连接，第一PMOS管MP1的源端接地；当器件进入关闭状态时，负压第一释放电路放电。本申请实施例解决了传统的器件在电源下电后再次启动时候，等待非常长的时间的技术问题。
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公开(公告)号：CN117707028B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410167938.6
申请日：2024-02-06
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 陈波
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本申请实施例提供了一种涉及无线通信技术领域，具体地，涉及一种射频模式控制电路、射频控制芯片和射频芯片。该射频模式控制电路包括：信号输入设备，用于产生并输出第一电平信号和第二电平信号；模式切换器的第一控制输入端和模式切换器的第二控制输入端分别与信号输入设备电连接，模式切换器的电源端用于连接输入电源，输出控制端用于连接待模式切换的射频器件，用于根据输入电源的输入电平和第一电平信号产生第一控制信号并基于第一控制信号控制射频器件在第一状态模式下工作；以及根据第二电平信号产生第二控制信号，并基于第二控制信号控制射频器件在第二状态模式下工作。提供了一种可以同时兼容GPIO和MIPI模式的芯片。
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公开(公告)号：CN116131830B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310402581.0
申请日：2023-04-17
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司
发明人： 田新城
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687 , H03F3/193
摘要： 本申请实施例提供了一种MOS管控制电路及LNA单级放大装置。控制电路包括：电容C与主电路MOS管的栅极连接，偏置电阻R一端与主电路MOS管MN的栅极连接且另一端接入偏置电压；电压控制型开关MP和偏置电阻R并联；电平边沿检测电路，接入使能信号EN且电平边沿检测电路的输出端连接电压控制型开关MP的控制端；电平边沿检测电路用于在检测到使能信号EN的预设边沿时，输出控制信号导通电压控制型开关MP预设时间，使得偏置电阻R短路预设时间，主电路MOS管的栅极的电位快速变化。本申请实施例解决了传统的在电容C连接在MOS管的栅极且电容和电阻形成的充放电结构，导致MOS管的关断和开启需要较长的时间的技术问题。
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公开(公告)号：CN116148774A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211592850.6
申请日：2022-12-13
申请人： 芯睿微电子(昆山)有限公司 , 昆山睿翔讯通通信技术有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种脉冲雷达发射机芯片及电子设备，属于芯片技术领域，所述脉冲雷达发射机芯片包括依次连接的直接脉冲产生电路、全数字功率放大器和输出匹配网络，直接脉冲产生电路工作在超宽带频率，包括脉冲产生子电路和脉冲调制子电路，其中：脉冲产生子电路用于产生至少n个延迟不同的脉冲信号，n为大于等于2的整数；脉冲调制子电路为m个，用于将脉冲产生子电路的各脉冲信号输出端上的脉冲信号调制为脉冲控制信号，m为大于等于1的整数。本申请实施例能够产生高精度雷达脉冲信号，并且整个电路为全数字电路，功耗低，从而提高了基于该芯片的UWB系统整机的待机和工作时间。
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