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公开(公告)号：CN118174664A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410598598.2
申请日：2024-05-15
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明涉及射频集成电路领域，具体涉及一种具有谐波抑制网络的射频功率放大器，包括偏置电路分别连接到每级功率放大管的基极；射频扼流网络一端连接到每级功率放大管的集电极，另一端连接到电源VCC；输入匹配网络一端连接到射频输入端，一端连接到第一级功率放大管的基极，输入匹配网络还连接第一谐波抑制网络；级间匹配网络一端连接到第一级功率放大管的集电极，一端连接第二级功率放大管的基极；级间匹配网络还连接第二谐波抑制网络；输出匹配网络一端连接功率放大管集电极，一端连接射频输出端，输出匹配网络还连接第三谐波抑制网络，解决谐波叠加在基频信号波形上，造成失真，降低整体系统线性度的问题，有效抑制射频信号谐波分量。
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公开(公告)号：CN116436420B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310708018.6
申请日：2023-06-15
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明属于放大器技术领域，具体地而言为一种高性能低噪声放大器，包括Bypass通道电路，在控制电压为高电平时，工作在Bypass模式，射频信号输入端通过隔直电容C3馈入三个串联的耗尽型PHEMT管，并通过隔直电容C4馈至输出端RFOUT；当控制电压为低电平时，工作在LNA模式；信号放大电路，包括增强型PHEMT管M1，两端连接在射频信号输入端和输出端，对射频信号进行放大；线性度增强电路，与信号放大电路中增强型PHEMT管M1的源极连接，为增强型PHEMT管M1提供一个低的负栅源电压。本发明Bypass方案在输出功率增加至10dBm时增益下降量不到0.5dB。能够实现近两倍的线性度提升。
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公开(公告)号：CN116436420A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310708018.6
申请日：2023-06-15
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明属于放大器技术领域，具体地而言为一种高性能低噪声放大器，包括Bypass通道电路，在控制电压为高电平时，工作在Bypass模式，射频信号输入端通过隔直电容C3馈入三个串联的耗尽型PHEMT管，并通过隔直电容C4馈至输出端RFOUT；当控制电压为低电平时，工作在LNA模式；信号放大电路，包括增强型PHEMT管M1，两端连接在射频信号输入端和输出端，对射频信号进行放大；线性度增强电路，与信号放大电路中增强型PHEMT管M1的源极连接，为增强型PHEMT管M1提供一个低的负栅源电压。本发明Bypass方案在输出功率增加至10dBm时增益下降量不到0.5dB。能够实现近两倍的线性度提升。
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公开(公告)号：CN114967819A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210916012.3
申请日：2022-08-01
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度系数电流，再通过高精度电流镜像电路，在电阻R3上产生正温度系数电压，并抵消横向正偏二极管结电压的负温度系数，实现了高精度温度补偿。采用源极驱动的方式进行电压输出，极大地提高基准电压的负载驱动能力。可复用带隙基准核心电路产生的偏置电流，以节省额外的电流消耗，从而实现低功耗。
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公开(公告)号：CN114924605A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210523278.1
申请日：2022-05-13
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及一种叠层ESD Power Clamp的偏置电压产生电路。包括：第一FET晶体管、第二FET晶体管、第三FET晶体管、第四FET晶体管，第一电阻、第二电阻，直流电源VDD，和输出电压Vx；其中直流电源VDD连接第一FET晶体管，第一FET晶体管与第二FET晶体管之间连接第一电阻，第二FET晶体管与第三FET晶体管之间输出电压Vx，第三FET晶体管与第四FET晶体管之间连接第二电阻，所述第四FET晶体管接地。本发明的偏置电路既产生不随温度和工艺角变化而出现波动的稳定的偏置电压，又不增加芯片面积和功耗。输出电压Vx从第二FET晶体管和第三FET晶体管的源极引出，使得输出的电压不会随负载波动而发生变化，也即能够抑制负载电路的干扰。
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公开(公告)号：CN114721455A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210259807.1
申请日：2022-03-16
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及一种Bypass开关偏置电压产生电路。其中第一增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第二增强型FET晶体管栅极相连，第一增强型FET晶体管的源极接地，漏极与第二电阻相连。第二增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第一增强型FET晶体管的栅极相连，漏极与自身栅极相连，源极与第三电阻相连。第一电阻上端与电源电压VDD相连，下端与偏置电压相连。第二电阻上端与第三电阻和偏置电压相连，下端与第一增强型FET晶体管的漏极相连。第三电阻的下端与第二电阻相连，上端与第二增强型FET晶体管的源极相连。控制电压Vctrl控制第一增强型FET晶体管的通断，第二增强型FET晶体管和第三电阻组成单向电压跟随器。
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公开(公告)号：CN118573125A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410650528.7
申请日：2024-05-24
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明属于放大器技术领域，为一种高可靠性低噪声放大器，包括输入MOSFET管M1以及共栅极MOSFET管M2；输入MOSFET管M1的漏极连接输入信号RFIN，输入MOSFET管M1的漏极与共栅极MOSFET管M2的源极连接，共栅极MOSFET管M2的栅极连接栅极电压Vg2；输入信号RFIN与输入MOSFET管M1的栅极之间依次设置有射频开关SW1、一端接地的第一级输入限幅网络以及一端接地的第二级输入限幅网络；输入信号RFIN连接射频开关SW2的一端，射频开关SW2的另一端接地；功率检测反馈控制网络用于检测经过第一级限幅网络后的信号Vdet1，和共栅极MOSFET管M2的漏端信号Vdet2，并控制射频开关的开启和关断，本发明极大地增强了主体电路的自我保护能力，解决现有低噪声放大器存在被瞬间击毁，造成永久性损坏的问题。
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公开(公告)号：CN117674747B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410130735.X
申请日：2024-01-31
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明涉及射频芯片功放技术领域，公开了一种高线性高效率的非对Doherty功率放大器。包括：输出匹配电路、驱动级功率单元、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路、载波功放功率单元、辅助功放功率单元、功率控制电路、电抗负载、50Ω负载以及包括第一四分之一波长传输线、第二四分之一波长传输线、第三四分之一波长传输线、第四四分之一波长传输线首尾相连组成带有四个节点的传输线组，通过驱动级功率单元与Doherty功放相连，提高功放的增益，增加功率控制电路，防止载波功放过饱和，提高了非对称功放的效率。同时输出合成网络增加了一个电抗负载，可以对功放整体的线性度有所提升。因此本发明具有更高的线性度、效率和增益。
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公开(公告)号：CN114967819B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210916012.3
申请日：2022-08-01
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度系数电流，再通过高精度电流镜像电路，在电阻R3上产生正温度系数电压，并抵消横向正偏二极管结电压的负温度系数，实现了高精度温度补偿。采用源极驱动的方式进行电压输出，极大地提高基准电压的负载驱动能力。可复用带隙基准核心电路产生的偏置电流，以节省额外的电流消耗，从而实现低功耗。
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公开(公告)号：CN114665825A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210261189.4
申请日：2022-03-16
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明属于射频电路技术领域，涉及一种对温度不敏感的偏置电路，包括第一至第四晶体管，第一至第七电阻以及两个直流电源。其中第一、二、三晶体管形成HBT晶体管自适应偏置的反馈环路，当第一晶体管需要放大信号时，第二、三晶体管形成反馈环路，自动将第一晶体管基区中的偏置电流调大，从而提高第一晶体管的线性度。为了使得偏置电路对环境温度不敏感，第四晶体管充当了热反馈电路进而保持整个电路的电流不随温度变化。为了使得第四晶体管不对电路造成其他影响，可以第四晶体管的基区添加电容。使得其不对电路造成其他影响，进一步减小热反馈环路对线性化反馈环路的影响。
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