半导体先进封装制程之超薄TGV通孔玻璃制具

    公开(公告)号:CN117364210A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311341761.9

    申请日:2023-10-17

    发明人: 洪俊雄

    摘要: 本发明涉及半导体先进封装制程电镀设备技术领域,且公开了半导体先进封装制程之超薄TGV通孔玻璃制具,包括中空挂架、气垫机构;所述气垫机构包括气垫板、气孔和气管,所述中空挂架的内侧设置有气垫板,所述气垫板上开设有分布均匀的气孔,所述气垫板远离中空挂架的一侧连通有气管。本发明通过气垫机构、承载机构和非接触式吸盘之间的配合作用,一种利用气垫方式在不接触产品表面使之于悬浮状态下提供支撑性,在半导体先进封装制程之电镀治具组合时避免破坏表面光阻,解决了现有的制具在重力的作用下,玻璃中部在中空挂架的中空处向下凹陷,玻璃四周翘起,在安装密封框时,容易将玻璃弄碎,进而造成TGV通孔玻璃报废率高,安装困难的问题。

    面板蚀刻制程设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117810116A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311132674.2

    申请日:2023-09-05

    发明人: 洪俊雄

    IPC分类号: H01L21/67 H01J37/32

    摘要: 本发明涉及半导体封装结构蚀刻制程技术领域,且公开了面板蚀刻制程设备,包括电机、旋转磁场机构,所述旋转磁场机构包括转动轴、带轮、皮带、磁力支架和磁石,所述电机的上侧传动连接有转动轴,所述转动轴的上侧固定连接有带轮,所述带轮的外侧传动连接有皮带,所述皮带的另一端内侧传动连接有磁力支架,所述磁力支架的内侧固定连接有磁石,所述磁石关于磁力支架对称设置。该蚀刻制程设备,通过旋转磁场机构和干蚀刻腔体之间的配合作用,使腔体的的电浆受安培右手定律影响,使电浆之电场因磁场影响后朝向被蚀刻产品表面,实现了蚀刻离子集中朝向蚀刻产品表面的目的,达到了蚀刻均匀的效果,解决了蚀刻不均匀,蚀刻效果不佳的问题。

    一种垂直式电镀槽内流场稳定板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116876061A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310842578.0

    申请日:2023-07-11

    发明人: 洪俊雄 刘子申

    IPC分类号: C25D17/00 C25D21/10 C25D5/08

    摘要: 本发明涉及电镀技术领域,且公开了一种垂直式电镀槽内流场稳定板,包括电镀外槽体、消波装置,所述消波装置包括电镀内槽体、消波板、摇摆叶片和摇摆支架,所述电镀外槽体的内侧壁固定连接有电镀内槽体,所述电镀内槽体的内侧插接有消波板,所述消波板与电镀内槽体内侧壁之间存在缓冲空间,所述消波板上设置有间隔式的锥形凸块,两个所述锥形凸块之间开设有开口窗口。该垂直式电镀槽内流场稳定板,通过消波板,实现了在摇摆叶片进行运动来回运动产生横向流场时,利用板上的锥形凸块破坏流向槽壁的流体,被破坏的流体再由锥形凸块彼此间的方形窗口流向槽壁后,最后撞击槽壁,维持流场稳定的目的,达到了电镀均匀,电镀效果佳的效果。

    一种水平摇摆式流场控制电镀设备

    公开(公告)号:CN116815276A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310800230.5

    申请日:2023-07-03

    发明人: 洪俊雄 刘子申

    IPC分类号: C25D17/00

    摘要: 本发明涉及电镀设备技术领域,且公开了一种水平摇摆式流场控制电镀设备,包括电镀槽体、电镀机构,所述电镀机构由下至上包括扩散分流板、钛金属阳极网板、阳极遮板、流场控制摇摆叶片、阴极遮板和进液机构,所述电镀槽体的内侧壁连接有扩散分流板,所述扩散分流板上开设有分布均匀的分散孔,所述电镀槽体的内侧壁且在扩散分流板的上侧连接有钛金属阳极网板,所述电镀槽体的内侧壁且在钛金属阳极网板的上侧固定连接有阳极遮板。该水平摇摆式流场控制电镀设备,通过设置水平式电镀设备组合方式,同时采用水平传送方式,大大的减低传送高度和槽体深度,解决了现有垂直式电镀设备高度上有着较大的劣势的问题。

    一种可调控电场式制具
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116427004A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310385362.6

    申请日:2023-04-12

    发明人: 洪俊雄

    摘要: 本发明涉及电镀制具技术领域,且公开了一种可调控电场式制具,包括电镀槽体,所述调控机构包括挂架、第一导电片、第二导电片(可控电场导电片亦包含二片以上之复数片)、导电框、电线组件和接电组件,所述电镀槽体的内侧滑动连接有挂架,所述挂架内部开设有与电镀槽体相对应的矩形通槽,所述挂架的内侧固定连接有第一导电片,所述挂架的内侧且在第一导电片的外侧连接有第二导电片,所述电镀槽体的内侧且在第二导电片的外侧固定连接有导电框。本发明不仅可改变铜离子的吸引力或推斥力,亦可同时改变不同位置的吸引力大小或推斥力大小,利用人为直接控制电场导板通电时的电量、正负电,使得铜离子的沉积速率不同进而提升产品电镀厚度的均匀性。

    双面垂直式电镀制具
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116200797A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310385645.0

    申请日:2023-04-12

    发明人: 洪俊雄

    摘要: 本发明涉及垂直式电镀系统的制具技术领域,且公开了双面垂直式电镀制具,包括电镀槽、电镀机构,所述电镀机构包括挂架、导电块、集电块、电柱、电线组件和吊装结构,所述电镀槽的内侧滑动连接有挂架,所述挂架的上部固定连接有导电块,所述挂架的上部内侧且在导电块的一侧连接有集电块,所述集电块的上侧连接有电柱。该垂直式电镀系统的制具,通过挂架、导电环、导电片、硅片凹槽、橡胶环、导电环、金属凸块、手动密封框和梅花螺钉之间的配合作用,进而实现了可以在挂架正反面上安装多个产品电镀的目的,解决了现有的电镀制具一般为单面单一产品电镀或者是双面各一产品电镀方式与结构,不具有双面多片式设计,使得无法满足客户的产能需求的问题。

    一种TGV通孔的化学预润方法与装置

    公开(公告)号:CN118555751A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410922076.3

    申请日:2024-07-10

    发明人: 洪俊雄

    摘要: 本发明涉及TGV通孔的化学预润技术领域,且公开了一种TGV通孔的化学预润方法与装置,包括:将至少一待预润的TGV玻璃基板置入该化学预润装置内;开始对化学预润装置内通入CO2;在对化学预润装置内通入CO2之前;当通入的CO2将TGV通孔内的空气全部赶走,换成CO2时,停止通入CO2,其中在该开始灌入纯水步骤前,设置有一CO2流动时间;对化学预润装置灌入纯水,并静置一预设时间;预设时间内,纯水与CO2反应生成碳酸;当达到该设时间时,让碳酸自该预润装置内流出,并取出该至少一TGV玻璃基板。本发明解决了现有技术需要用到真空pump,预润槽材质也必须使用不锈钢材质,厚度很厚,才不会在真空时槽体变形,因此现有的预润方法存在成本过高的问题。

    一种水平式电镀系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115948787A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202310013609.1

    申请日:2023-01-05

    发明人: 洪俊雄

    摘要: 本发明涉及电镀系统技术领域,且公开了一种水平式电镀系统,包括:电镀槽,供容纳电镀液于其内;喷流模块,设置于电镀槽内底部且设有数喷流孔,喷流孔喷出由下而上流动的电镀液;阳极板,设置于喷流模块上,且不会遮蔽到喷流孔;基板夹持装置,固定着一基板,且使基板的被电镀面朝下;导流模块,包括可转动的导流盘,导流盘中央区分布着数叶片,导流盘位于基板夹持装置与喷流模块之间,当导流盘转动时,利用叶片引导电镀液朝被电镀面流动。该水平式电镀系统解决了板背接触到电镀药水,进而被电镀金属覆盖,影响电镀面积计算,进而导致可靠度及均匀度较差的问题,以及传统水平式电镀设备用于大尺寸基板电镀会造成设备占地面积过大的问题。