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公开(公告)号：CN115852404A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211584609.9
申请日：2022-12-09
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
发明人： 马立军
摘要： 本发明公开了一种便于拆卸组装的四甲基氢氧化铵连续电解槽，包括装置底座，所述装置底座的上表面设置有固定立板，所述固定立板上设置有第一螺纹杆，所述第一螺纹杆的末端设置有滑动板，且滑动板设置在装置底座的上表面。该便于拆卸组装的四甲基氢氧化铵连续电解槽设置有设置有滑动板，滑动板通过第一螺纹杆在装置底座的上表面构成移动结构，使滑动板的位置可以进行调整，同时，滑动板两侧的活动延长板可以进行位移，从而使该装置的尺寸可以根据需要进行调整；滑动板内部的升降放置板在驱动电机以及第四螺纹杆的作用下可以在滑动板的内部进行位移，从而方便该装置可以方便取料和上料，从而使该装置可以进行连续电解。
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公开(公告)号：CN112723994A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011614988.2
申请日：2020-12-30
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体级异丙醇的纯化方法，通过将工业级的异丙醇原料经离子净化脱水处理后，经精细控制精馏温度，严格控制共沸点，剥离异丙醇原料中的水分。并经过萃取塔，进一步拦截馏分中的水分和离子体，同时提高异丙醇的浓度。另外，在最后的净化收集器入口还设有纳滤膜，进一步净化冷却后的异丙醇中微粒杂质，进一步提高异丙醇的纯度和质量。经本发明方法获得异丙醇主体含量达99.99％，水含量低于50ppm，阳离子含量低于0.1ppb，阴离子含量低于50ppb，符合国际半导体设备和材料组织制定的化学材料12级标准，可用于半导体、大规模集成电路装配和加工过程中的清洗、干燥等方面。
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公开(公告)号：CN111945163A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010769153.8
申请日：2020-08-03
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
IPC分类号： C23F1/18
摘要： 本发明提供了一种铜蚀刻液组合物，所述的铜蚀刻液为组合物,包括双氧水、有机酸、络合剂、甲基磺酸和去离子水，目前市场上的铜蚀刻液主要由双氧水、硫酸和去离子水组成，在该蚀刻液蚀刻过程中，蚀刻快，速度难以控制，生成的铜离子会加速双氧水分解，从而缩短蚀刻液寿命，同时制程中液体温度急剧上升，易导致安全事故发生，本发明通过加入一定比例的络合剂和甲基磺酸，来稳定蚀刻液铜离子浓度和PH值，有效延长了蚀刻液的使用寿命，提高了蚀刻速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN111876157A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010621821.2
申请日：2020-06-30
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种TMAH蚀刻液的制备蚀刻方法。所述的蚀刻液为组合物,包括四甲基氢氧化铵、醇类和水。所述的蚀刻对象为单晶硅。所述的蚀刻方法首先将单晶硅片上待蚀刻图形表面的氧化硅腐蚀干净,之后将单晶硅片浸入加热后的TMAH硅蚀刻液中完成蚀刻。通过本发明的TMAH蚀刻液及蚀刻方法获得硅片无表面金字塔、橘皮效应等缺陷。本发明的TMAH单晶硅蚀刻液应用在MEMS微加工工艺中，蚀刻后硅片无表面金字塔、橘皮效应，满足了半导体客户的需求。本发明的蚀刻液改变了对单晶硅的传统湿法蚀刻特性,具有操作简单、可精确控制蚀刻深度、重复性强、低毒性低污染、易于实现批量化的优点。
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公开(公告)号：CN118814166A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410775982.5
申请日：2024-06-17
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备方法，包括以下组分：无机酸：占11.5％，过氧化物：占41％，有机酸：占41％，螯合剂：占0.5％～5.0％，蚀刻控制剂：占0.05％～0.5％，表面活性剂：占0.1％～0.5％，其他添加剂：占0.1％～1.0％；在蚀刻液槽中加入预定量的水，然后添加所需的化学物质，将上述组分按照质量百分比加入；对蚀刻液槽中的水和化学物质进行搅拌混合，直到达到所需的浓度和均匀性。该铜蚀刻液及其制备方法，通过添加不同的组分，不仅提高了蚀刻效率，还增强了蚀刻液的选择性和稳定性，同时，它的环保性能也得到了显著提升，这些成分相互作用，使得铜蚀刻液具有高稳定性、长蚀刻寿命，并且能够有效提高蚀刻速率，减少氧化剂的消耗，从而延长蚀刻液的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118105895A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410066271.0
申请日：2024-01-17
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜蚀刻液的生产方法及装置，涉及铜蚀刻液生产的技术领域，包括反应池和垂直输送罐，所述反应池的顶端设置有进气管件底端，所述反应池体的另一侧贯穿连接有进液管件底端，所述反应池体的正上方设置有盖板，垂直输送罐贯穿连接在反应池的顶端，所述垂直输送罐对气液混合物进行垂直输送，进而便于对液体进行组合处理，所述反应池的内部设置有反应机构，反应机构对反应物及反应液体进行震动处理。在使用过程中，主要管件不同尺寸或规格的螺旋叶片对液体进行垂直输送，在输送的过程中，主要通过电机对螺旋叶片的旋转速度进行控制，避免液体输送速度过快，导致液体的流动的速度过快或量过大，影响硫酸铜溶液反应的效率。
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公开(公告)号：CN117839248A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311632078.0
申请日：2023-12-01
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电子级氨水的提纯装置，涉及氨水提纯的技术领域，包括提纯池体、制冷罐体和加热池体，所述提纯池体的一端贯穿连接有注液阀门，所述提纯池体的另一端贯穿连接有排液阀门，所述提纯池体的正上方设置有除油箱体，所述除油箱体的顶端贯穿连接有回液管道，所述制冷罐体的底端连接有双向电机其中一侧输出端；提纯池体的内部设置有液化机构，所述液化机构将纯水不断抽取到上方，加速加热汽化氨气吸收液化速度，所述除油箱体的内部设置有填料滤芯。当完成对氨水的加热将氨水转换为氨气时，利用氨气注入到另一侧的纯水中，在注入的过程中，通过室温对氨气进行降温处理，同时利用填料滤芯对氨气形成的液体进行过滤处理。
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公开(公告)号：CN114815530A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210514173.X
申请日：2022-05-11
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
IPC分类号： G03F7/32 , G02F1/1335
摘要： 本发明公开了一种不含钾离子的彩膜显影液及其制备方法，该显影液是由碱性化合物、非离子表面活性剂和超纯水组成。碱性化合物为不含金属离子的有机碱，如四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵以及四丙基氢氧化铵等一种或多种，阴离子表面活性剂选自醇醚羧酸盐、酚醚硫酸酯盐、醇醚磷酸盐、椰子油脂肪酸单乙醇酰胺、蓖麻油聚氧乙烯醚和苯乙烯苯酚中的至少一种。显影液主要用于液晶面板制程中显影工序，可以对基板面内光阻进行显影。本发明的彩膜显影液使用寿命长，不含金属钾离子，具有良好的显影效果，显影呈现出的图像无其他残渣，图形边缘整齐清晰，符合目前液晶显示制程中高分辨率高画质的要求。
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公开(公告)号：CN114735655A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210400528.2
申请日：2022-04-16
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
IPC分类号： C01B15/013
摘要： 本发明公开了一种低TOC超高纯双氧水的生产方法，包括如下步骤：原材料的准备、原材料的混合反应、双氧水的初步提纯、双氧水的二次提纯、双氧水的纯化、双氧水的过滤、杂质的净化和双氧水的储存，该低TOC超高纯双氧水的生产方法，设置有多次的蒸馏工艺，采用低压的蒸馏工艺，有助于减少过氧化氢在受热的过程中发生分解，保证过氧化氢的浓度，提高过氧化氢的产量，且通过多次的蒸发和分馏，逐步提高过氧化氢水溶液的溶度，降低过氧化氢溶液中的含水率，使最终的双氧水具有较高的纯度，通过活性炭和除水剂的加入，对过氧化氢水溶液中的有机杂质和水进行进一步的吸收，对蒸馏的纯化进行补充，使双氧水中TOC浓度在1ppm以下。
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公开(公告)号：CN113480414A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110827955.4
申请日：2021-07-22
申请人： 镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种绿色环保型半导体级丙二醇甲醚(PM)的制备方法，包括以下步骤：原材料的配制、制备材料的混合、丙二醇甲醚的制备、低碳醇的回收、丙二醇甲醚的纯化、电子级丙二醇甲醚的制备、电子级丙二醇甲醚的纯化、半导体级丙二醇甲醚溶液的存储。该绿色环保型半导体级丙二醇甲醚(PM)的制备方法，防止其扩散至空气和水中，使该生产工艺更加绿色环保，收集的甲醛可以再次的用于丙二醇甲醚的酯化反应，节约原材料成本。经本发明方法获得丙二醇甲醚(PM)主体含量达99.9％，水含量、阳离子含量及阴离子含量均符合国际半导体设备和材料组织制定的化学材料12级标准，可用于半导体、大规模集成电路装配和加工过程中的清洗、干燥等方面。
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