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公开(公告)号：CN118472784B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410939938.3
申请日：2024-07-15
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
IPC分类号： H01S5/0235 , B08B5/04
摘要： 本发明涉及固晶技术领域，具体公开了一种激光模组用固晶装置，包括：晶片移动机构、第一平台和第二平台，所述第一平台用于盛放晶片，所述第二平台用于盛放电路板，所述晶片移动机构用于将晶片从第一平台移动至第二平台，所述晶片移动机构包括移动单元、气管和清洁管，所述气管设在所述移动单元上，所述移动单元用于驱动所述气管移动，所述气管与抽气装置连通，所述气管底部设有吸嘴，所述清洁管滑动配合在所述气管旁，所述清洁管上设有驱动件，所述气管与所述清洁管之间互相连通，二者之间设有控制板，所述清洁管的侧壁上设有多个上下间隔分布的清洁口；本发明的激光模组用固晶装置能够通过清洁管将吸嘴上的杂质清除，防止杂质影响固晶。
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公开(公告)号：CN118758567A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411246929.2
申请日：2024-09-06
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
摘要： 本发明一般地涉及电子数字数据处理领域。更具体地，本发明涉及一种面发射半导体激光器的综合测试方法及系统，其中的方法包括：设定半导体激光器在不同温度下的测量次数；获得半导体激光器在不同温度对应的测量次数下的多组测量数据，并计算多组测量数据与标准数据之间的相似度之和；根据所述重要性对所述相似度之和进行加权计算，以得到半导体激光器的稳定系数；响应于所述稳定系数小于阈值，确定面发射半导体激光器不合格。本发明通过半导体激光器的光学性能以及电学性能在多个温度环境下的表现对半导体激光器稳定性进行评估。
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公开(公告)号：CN118748351A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410673505.8
申请日：2024-05-28
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
摘要： 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种可切换波长输出半导体激光器结构，在N型DBR层和P型DBR层之间交替生长有不少于2组的激光输出组和不少于1个的双向电极层；其中，每个激光输出组均包括有源区层，以及生长在每个有源区层上的氧化限制层，且每个有源区层中不同增益峰值的量子阱的数量均不相同；多个不同增益峰值的量子阱的有源区层放置在同一谐振腔内，配合对应的氧化限制层和可以实现双向供电的双向电极层实现同一谐振腔两个或多个波长的激光可切换输出。
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公开(公告)号：CN118456332B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410921566.1
申请日：2024-07-10
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
IPC分类号： B25B11/02 , B23P19/027
摘要： 本发明涉及激光模组组装技术领域，具体公开了激光模组自动组装设备，包括：驱动件、三组夹取部和三个下压部，驱动件能够驱动同组的两个夹取部相互靠近并夹持密封环，驱动件还能够驱动三组夹取部下移至外壳的环形槽内，驱动件能够驱动下压部下移并下压密封环的被夹持部位，驱动件还能够驱动三组夹取部和三个下压部沿外壳上环形槽的轴线转动；本发明的激光模组自动组装设备，通过同组的两个夹取部对密封环夹持，以使密封环被夹持部位的宽度减小，并进入到外壳上的环形槽内，并由下压部对密封环被夹持部位下压固定，通过三组夹取部和下压部的转动，以对密封环的不同位置进行夹持，并由下压部将密封环挤压至环形槽内。
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公开(公告)号：CN118472784A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410939938.3
申请日：2024-07-15
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司 , 江苏长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
IPC分类号： H01S5/0235 , B08B5/04
摘要： 本发明涉及固晶技术领域，具体公开了一种激光模组用固晶装置，包括：晶片移动机构、第一平台和第二平台，所述第一平台用于盛放晶片，所述第二平台用于盛放电路板，所述晶片移动机构用于将晶片从第一平台移动至第二平台，所述晶片移动机构包括移动单元、气管和清洁管，所述气管设在所述移动单元上，所述移动单元用于驱动所述气管移动，所述气管与抽气装置连通，所述气管底部设有吸嘴，所述清洁管滑动配合在所述气管旁，所述清洁管上设有驱动件，所述气管与所述清洁管之间互相连通，二者之间设有控制板，所述清洁管的侧壁上设有多个上下间隔分布的清洁口；本发明的激光模组用固晶装置能够通过清洁管将吸嘴上的杂质清除，防止杂质影响固晶。
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公开(公告)号：CN116826516A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210278500.6
申请日：2022-03-21
申请人： 华为技术有限公司 , 长春中科长光时空光电技术有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决单模VCSEL纤芯区域尺寸小，且制备成本高的问题。激光器包括：第一分布式布拉格反射镜层、设置于第一分布式布拉格反射镜层上的有源层、设置于有源层远离第一分布式布拉格反射镜层一侧的第二分布式布拉格反射镜层和第三分布式布拉格反射镜层以及电极。其中，第二分布式布拉格反射镜层围绕第三分布式布拉格反射镜层设置，且第三分布式布拉格反射镜层的折射率小于第二分布式布拉格反射镜层的折射率。电极用于为有源层提供电流以使有源层产生光子；第三分布式布拉格反射镜层远离第一分布式布拉格反射镜层一端开设有出光口。
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公开(公告)号：CN111942882A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010812860.0
申请日：2020-08-13
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司
IPC分类号： B65G47/90
摘要： 本申请公开了一种晶圆卸取设备，包括：加热体；位于加热体上表面的传热夹具，传热夹具包括夹具主体和与夹具主体上表面连接的用于承载减薄盘的圆环，夹具主体具有纵向贯通的空腔，夹具主体的底部尺寸大于夹具主体的顶部尺寸，且空腔的底部尺寸大于空腔的顶部尺寸。本申请晶圆卸取设备包括加热体和传热夹具，传热夹具的夹具主体的底部尺寸大于顶部尺寸，并且夹具主体的空腔的底部尺寸大于顶部尺寸，使得夹具主体形成一个具有空腔的向上收缩的主体，空腔区域导热慢，从而进行加热卸取晶圆时，使得晶圆的四周先与减薄盘发生分离，中心区域后分离，晶圆受热产生的延长量向四周进行延长释放，不会产生应力，进而使晶圆不会发生破碎，降低碎片率。
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公开(公告)号：CN111293585A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010112798.4
申请日：2020-02-24
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器、阵列以及制作方法，垂直腔面发射激光器制作方法。将泵浦光源插入发射光源谐振腔中，利用GaAs材料实现短波800nm至1100nm的泵浦光发射，泵浦光水平振荡；垂直耦合器结构，具备将泵浦光耦合至垂直表面输出及释放InP缓冲层在GaAs上异质外延过程中的晶格失配应力两个方面的作用，从结构上完全避免了传统的InP基长波长垂直腔面发射激光器面临的DBR反射镜折射率差小、热阻大、缺乏有效的光电限制结构，P型InP层电阻较大、发热严重等问题，提高了器件的性能以及可靠性。
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公开(公告)号：CN111106532A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911269504.2
申请日：2019-12-11
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，从下至上依次包括DBR反射镜、下电流注入层、发光区、上电流注入层和反射光栅，其中DBR反射镜与反射光栅会相对设置，而反射光栅的反射光波长与DBR反射镜的反射光波长相同，且反射光栅的反射率小于DBR反射镜的反射率。此时，发光区位于反射光栅以及DBR反射镜之间区域所产生的光线会在反射光栅与DBR反射镜之间振荡从而产生激光，并且光线会从反射光栅射出半导体激光器，上述反射光栅的位置即半导体激光器中出光孔的位置。由于反射光栅的结构简单且制备工艺简单，可以降低激光器的制备成本。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110932092A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911275025.1
申请日：2019-12-12
申请人： 长春中科长光时空光电技术有限公司
发明人： 张星
摘要： 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，在有源层背向n型衬底一侧表面设置有环形本征层，在环形本征层内侧设置有p型重掺杂层以及位于p型重掺杂层背向n型衬底一侧表面的n型重掺杂层以构成掩埋隧道结结构。通过p型重掺杂层和n型重掺杂层形成隧穿导通区，并且由于环形本征层的电导率极低，使得电流只会从环形本征层中心通过隧穿导通区通过，通过控制环形本征层中心的图形，可以形成有效的电流限制；同时通过对环形本征层厚度的控制，可以实现在环形本征层覆盖区域的光限制，从而使得长波长垂直腔面发射激光器中电流以及光线更加集中，以提高长波长垂直腔面发射激光器的性能。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
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