不受风影响的麦克风
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102113348B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN200980118219.9

    申请日:2009-05-21

    IPC分类号: H04R25/00

    摘要: 本发明公开了一种声学设备,所述声学设备包括限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构与所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构与所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及在所述第一感测结构中可操作地连接所述前体积和所述间隙的至少一个孔口,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。

    集成电路MEMS平台上具有支承结构的检验质量块及其制法

    公开(公告)号:CN101657728A

    公开(公告)日:2010-02-24

    申请号:CN200780051481.7

    申请日:2007-10-24

    IPC分类号: G01P15/125

    CPC分类号: B81C1/00246 B81C2203/0742

    摘要: 提供一种微机电系统(MEMS)装置,其包括:基片;配置在基片上的至少一个半导体层;包括包含驱动/感测电路的至少一个芯片的电路区域,所述电路区域配置在所述至少一个半导体层上;附着到基片的支承结构;附着到支承结构的至少一个弹性装置;被所述至少一个弹性装置悬挂的检验质量块,其能够在x方向、y方向和z方向中的至少一个方向上自由地运动;至少一个上电极,其配置在所述至少一个弹性装置上;以及至少一个下电极,其位于所述至少一个弹性装置之下,从而使得在所述至少一个上电极和所述至少一个下电极之间产生初始电容,其中,驱动/感测电路、检验质量块、支承结构以及所述至少一个上电极和所述至少一个下电极被制造在所述至少一个半导体层上。

    具有高声学过载点的麦克风系统

    公开(公告)号:CN110313184A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201880012083.2

    申请日:2018-02-14

    发明人: S.甘塔 C.埃泽奎

    IPC分类号: H04R3/00

    摘要: 麦克风偏置电路包括:麦克风,连接在第一节点和第一DC偏置电压之间,麦克风被配置为响应于声音而在第一节点处提供感测电压;第一二极管和第二二极管,第一二极管和第二二极管在第一节点和第二节点之间彼此反向并联连接,第二节点具有第二DC偏置电压;放大器,具有连接到第一节点的输入和连接到第三节点的输出,放大器被配置为基于第一节点处的感测电压而向第三节点提供输出电压;以及反馈路径,从第三节点连接到第二节点。反馈路径包括至少一个元件,该至少一个元件被配置为将第三节点处的输出电压的交流分量耦合到第二节点。

    集成电路MEMS平台上具有支承结构的检验质量块及其制法

    公开(公告)号:CN101657728B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN200780051481.7

    申请日:2007-10-24

    IPC分类号: G01P15/125

    CPC分类号: B81C1/00246 B81C2203/0742

    摘要: 提供一种微机电系统(MEMS)装置,其包括:基片;配置在基片上的至少一个半导体层;包括包含驱动/感测电路的至少一个芯片的电路区域,所述电路区域配置在所述至少一个半导体层上;附着到基片的支承结构;附着到支承结构的至少一个弹性装置;被所述至少一个弹性装置悬挂的检验质量块,其能够在x方向、y方向和z方向中的至少一个方向上自由地运动;至少一个上电极,其配置在所述至少一个弹性装置上;以及至少一个下电极,其位于所述至少一个弹性装置之下,从而使得在所述至少一个上电极和所述至少一个下电极之间产生初始电容,其中,驱动/感测电路、检验质量块、支承结构以及所述至少一个上电极和所述至少一个下电极被制造在所述至少一个半导体层上。

    不受风影响的麦克风
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102113348A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980118219.9

    申请日:2009-05-21

    IPC分类号: H04R25/00

    摘要: 本发明公开了一种声学设备,所述声学设备包括限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构与所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构与所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及在所述第一感测结构中可操作地连接所述前体积和所述间隙的至少一个孔口,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。