公开(公告)号：CN1897282A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610100089.4

申请日：2006-06-29

申请人： ST微电子克鲁勒斯图股份公司

发明人： 罗塞尔拉·拉尼卡 ,  艾莱克斯安德·维尔拉里特 ,  帕斯卡勒·马佐耶尔

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

CPC分类号： G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/7841

摘要： 一种在浮置体区域上具有一个晶体管的存储单元，所述浮置体区域由其下表面通过结来隔离。根据本发明，所述结是非平面的，并且，例如包括指向晶体管表面的突起。

公开(公告)号：CN101061586A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580033871.2

申请日：2005-10-05

申请人： ST微电子克鲁勒斯图股份公司 ,  皇家飞利浦电子有限公司

发明人： 玛库斯·穆勒 ,  彼诺伊特·弗洛米尼

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L29/665

摘要： 本发明涉及MOS晶体管，其栅极依次包括绝缘层(31)、金属硅化物层(50)、导电密封材料层(53)以及多晶硅层(55)。