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发明公开
栅极结构及其制造方法无效

公开(公告)号：CN101061586A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580033871.2

申请日：2005-10-05

申请人： ST微电子克鲁勒斯图股份公司 , 皇家飞利浦电子有限公司

发明人： 玛库斯·穆勒 , 彼诺伊特·弗洛米尼

IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28026 , H01L29/665

摘要： 本发明涉及MOS晶体管，其栅极依次包括绝缘层(31)、金属硅化物层(50)、导电密封材料层(53)以及多晶硅层(55)。