公开(公告)号：CN107968054A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710233180.1

申请日：2017-04-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宜群 ,  尹宗凡 ,  邱意为 ,  夏英庭 ,  许立德

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28026

摘要： 提供一种半导体结构的形成方法。在一实施例中，形成半导体结构的方法包括形成开口穿过绝缘层与形成第一功函数金属层于开口中。此方法亦包括使第一功函数金属层凹陷至开口中，以形成凹陷的第一功函数金属层；以及形成第二功函数金属层于开口中及凹陷的第一功函数金属层上。第二功函数调整层衬垫并悬于凹陷的第一功函数金属层上。

公开(公告)号：CN103378008B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210129587.7

申请日：2012-04-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 殷华湘 ,  付作振 ,  徐秋霞 ,  陈大鹏

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明提供了一种双金属栅极CMOS器件的制造方法，具体包括：在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第一类型金属功函数调节层，在所述第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第二类型功函数金属扩散源层；在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷中形成间隙填充金属；形成遮蔽第一类型器件所在区域的加热隔离层；对所述第一类型器件和第二类型器件所在区域进行热退火，将第一类型金属功函数调节层转化为第二类型金属功函数调节层。本发明还提供了一种利用选择加热形成不同功函数的双金属栅极CMOS器件。本发明工艺简单且不会对高K栅介质层造成损伤，避免了CMOS中复杂的不同功函数金属栅集成工艺。

公开(公告)号：CN104282540A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310277133.9

申请日：2013-07-03

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

摘要： 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底第一区域表面形成第一伪栅结构，在半导体衬底第二区域表面形成第二伪栅结构；在所述第一伪栅结构和第二伪栅结构的侧壁表面形成阻挡层、位于所述阻挡层表面的含氧元素的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的第二绝缘层；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一凹槽和第二凹槽；去除所述第二凹槽侧壁表面阻挡层；在所述第一凹槽内壁的阻挡层表面形成第一栅极结构；在所述第二凹槽内壁的第一绝缘层表面形成第二栅极结构。所述晶体管的形成方法，在半导体衬底第一区域和第二区域形成不同阈值电压的晶体管，工艺步骤简单，提高晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103247523A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210576088.2

申请日：2012-12-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 解子颜 ,  张铭庆 ,  张家维 ,  陈昭成 ,  李俊鸿 ,  吴岱霖

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： 本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入到没有被第一光刻胶层覆盖的多晶硅层的部分中；从多晶硅层去除第一光刻胶层；以及使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。本发明还提供了半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN102903742A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210026682.4

申请日：2012-02-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  林秉顺 ,  李达元 ,  于雄飞 ,  周群渊 ,  徐帆毅 ,  陈建豪 ,  许光源

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。

公开(公告)号：CN101364546A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810145597.3

申请日：2008-08-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： M·W·科佩尔 ,  王允愈 ,  V·纳拉亚南 ,  B·B·多里斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。

公开(公告)号：CN1196186C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01812560.3

申请日：2001-07-03

申请人： 先进微装置公司

发明人： J·S·蓝斯佛得

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32096 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22

摘要： 本发明提供一种用于减少栅极宽度变化的方法。此方法包含有提供其中形成有栅极(230)且在此栅极(230)的至少部分表面上形成有防反射涂敷层(240)的晶片。此栅极(230)具有宽度。量测栅极(230)的宽度。决定用于移除此防反射涂敷(240)的剥除工具(130)的剥除率。将所量测到的栅极(230)宽度与目标栅极临界尺寸相比较以便依据剥除率决定过度蚀刻的时间。根据过度蚀刻的时间修正剥除工具(130)的操作方法。处理线(100)包含有第一度量工具(120)、剥除工具(130)和处理控制器(150)。此第一度量工具(120)用于量测在晶片上所形成的栅极(230)宽度。此栅极(230)的至少部分表面上形成有防反射涂敷层(240)。此剥除工具(130)用于移除防反射涂敷层(240)。此处理控制器(150)，用于决定剥除工具(130)的剥除率，比较栅极(230)的宽度和目标栅极的临界尺寸以便依据剥除率决定过度蚀刻时间，且依据过度蚀刻时间修正剥除工具(130)的操作方法。

公开(公告)号：CN104272452B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380023707.8

申请日：2013-05-07

申请人： 高通股份有限公司

发明人： B·杨 ,  X·李 ,  J·袁

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法。在一特定实施例中，CMOS器件包括硅基板、硅基板上的介电绝缘材料、以及介电绝缘材料上的延伸层。该CMOS器件还包括与沟道接触并与延伸区接触的栅极。该CMOS器件还包括与延伸区接触的源极和与延伸区接触的漏极。该延伸区包括与源极和栅极接触的第一区并包括与漏极和栅极接触的第二区。

公开(公告)号：CN106206361A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510420197.9

申请日：2015-07-16

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 大桥直史 ,  高野智 ,  菊池俊之

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/67098 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置，抑制半导体器件的特性偏差。衬底处理装置，包括：接收部，接收衬底的膜厚分布数据，所述衬底形成有：沟道区域；形成于所述沟道区域上的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成有构成为含硅膜的一部分的第一含硅层；衬底载置部，其载置所述衬底；以及气体供给部，在所述第一含硅层上，以与所述膜厚分布数据的膜厚分布不同的膜厚分布，形成构成为所述含硅膜的一部分的第二含硅层，修正所述含硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN103247523B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210576088.2

申请日：2012-12-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 解子颜 ,  张铭庆 ,  张家维 ,  陈昭成 ,  李俊鸿 ,  吴岱霖

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： 本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入到没有被第一光刻胶层覆盖的多晶硅层的部分中；从多晶硅层去除第一光刻胶层；以及使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。本发明还提供了半导体结构的制造方法。