公开(公告)号：CN116967150A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311234436.2

申请日：2023-09-25

申请人： 万华化学集团股份有限公司

发明人： 王壹帆 ,  张琪 ,  李博 ,  胡碧波

IPC分类号： B07C5/10 ,  B07C5/36

摘要： 本申请提供一种硅片平坦度检测装置及硅片厚度分选系统，其中的硅片平坦度检测装置包括框架组件，在框架组件中安装直线模组、工作台、硅片固定座和转动部，硅片设置在转动部上。通过直线模组能够带动工作台、硅片固定座和转动部沿着直线运动，通过转动部能够带动硅片转动，因此当需要对硅片平坦度进行检测时，控制硅片沿着直线方向移动的同时进行转动，配合传感器组件中的激光位移传感器对硅片表面的平坦度进行检测即可。本申请的上述技术方案结构紧凑，激光位移传感器可快速准确地实现硅片表面的平坦度测量，能同时满足抛光后硅片亚纳米级平坦度检测的要求。

公开(公告)号：CN116967150B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311234436.2

申请日：2023-09-25

申请人： 万华化学集团股份有限公司

发明人： 王壹帆 ,  张琪 ,  李博 ,  胡碧波

IPC分类号： B07C5/10 ,  B07C5/36

摘要： 本申请提供一种硅片平坦度检测装置及硅片厚度分选系统，其中的硅片平坦度检测装置包括框架组件，在框架组件中安装直线模组、工作台、硅片固定座和转动部，硅片设置在转动部上。通过直线模组能够带动工作台、硅片固定座和转动部沿着直线运动，通过转动部能够带动硅片转动，因此当需要对硅片平坦度进行检测时，控制硅片沿着直线方向移动的同时进行转动，配合传感器组件中的激光位移传感器对硅片表面的平坦度进行检测即可。本申请的上述技术方案结构紧凑，激光位移传感器可快速准确地实现硅片表面的平坦度测量，能同时满足抛光后硅片亚纳米级平坦度检测的要求。

公开(公告)号：CN113808918A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111075148.8

申请日：2021-09-14

申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 ,  万华化学集团股份有限公司

发明人： 张琪 ,  代冰 ,  胡碧波 ,  李博 ,  王鹏

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种高洁净度抛光片的制备工艺，包括如下步骤：在洁净的待抛片背面均匀涂敷一层水溶性抛光蜡，将背面涂覆抛光蜡的待抛片贴敷在高温陶瓷盘上，随后进行冷却；对贴敷在陶瓷盘上的待抛片进行抛光处理，分别经历粗抛光、一次精抛光、二次精抛光，得到抛光片；对抛光片用纯水进行去蜡清洗，去除抛光片背面的抛光蜡，得到洁净的抛光片；对抛光片进行最终清洗，得到高洁净度的抛光片。利用本发明的制备工艺，最终得到的抛光片表面颗粒度可达到：＞65nm≤20颗，表面洁净度高。