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公开(公告)号：CN113808918A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111075148.8
申请日：2021-09-14
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种高洁净度抛光片的制备工艺，包括如下步骤：在洁净的待抛片背面均匀涂敷一层水溶性抛光蜡，将背面涂覆抛光蜡的待抛片贴敷在高温陶瓷盘上，随后进行冷却；对贴敷在陶瓷盘上的待抛片进行抛光处理，分别经历粗抛光、一次精抛光、二次精抛光，得到抛光片；对抛光片用纯水进行去蜡清洗，去除抛光片背面的抛光蜡，得到洁净的抛光片；对抛光片进行最终清洗，得到高洁净度的抛光片。利用本发明的制备工艺，最终得到的抛光片表面颗粒度可达到：＞65nm≤20颗，表面洁净度高。
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公开(公告)号：CN114818426A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446499.3
申请日：2022-04-26
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/14
摘要： 本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值。
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公开(公告)号：CN115805525A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211695090.1
申请日：2022-12-28
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B49/00
摘要： 本发明提供一种抛光垫检测装置、系统及方法，该装置包括安装座和用于检测待测抛光垫的形变的检测探针组件，安装座包括相对设置的第一安装板、第二安装板、以及可变长的连接支架，第一安装板上设有用于待测抛光垫的外边缘穿过的第一凹槽，第二安装板上设有用于待测抛光垫的外边缘穿过的第二凹槽，连接支架的一端分别与第一安装板和第二安装板连接，连接支架的另一端与待测抛光垫的旋转轴心转动连接；第一凹槽和第二凹槽内设有检测探针组件，且第一凹槽内的检测探针组件与第二凹槽内的检测探针组件围合成的区域覆盖待测抛光垫的横截面。实施本发明，实现自动检测抛光垫是否发生形变，防止抛光垫因磨损两侧产生毛刺而影响硅片表面产品质量。
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公开(公告)号：CN116487312A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210037707.4
申请日：2022-01-13
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66 , H01L21/02 , G01N21/95 , B08B1/00 , B08B1/02 , B08B3/08 , B08B13/00
摘要： 本发明公开了一种基于气凝胶的半导体晶圆夹持执行机构，包括具有上端部、下端部和侧壁的气凝胶块体以及包覆在所述气凝胶块体侧壁的外壳，所述气凝胶块体的下端部与流体供应机构相连，来自所述流体供应机构的流体从所述气凝胶块体的下端部流入、上端部溢出。本发明还公开了晶圆检测方法及清洗方法，用于硅片边缘检测时，可一次完成硅片边缘区域全扫描测量，避免多次测量及结果融合；用于硅片表面几何尺寸测量时，可以免去在后续数据处理过程中作重力补偿计算；用于硅片清洗时可将硅片夹持、清洗液喷洒和硅片表面清洗三个动作整合在一起。
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公开(公告)号：CN116967150B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311234436.2
申请日：2023-09-25
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种硅片平坦度检测装置及硅片厚度分选系统，其中的硅片平坦度检测装置包括框架组件，在框架组件中安装直线模组、工作台、硅片固定座和转动部，硅片设置在转动部上。通过直线模组能够带动工作台、硅片固定座和转动部沿着直线运动，通过转动部能够带动硅片转动，因此当需要对硅片平坦度进行检测时，控制硅片沿着直线方向移动的同时进行转动，配合传感器组件中的激光位移传感器对硅片表面的平坦度进行检测即可。本申请的上述技术方案结构紧凑，激光位移传感器可快速准确地实现硅片表面的平坦度测量，能同时满足抛光后硅片亚纳米级平坦度检测的要求。
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公开(公告)号：CN115847197A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211695679.1
申请日：2022-12-28
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本申请提出了一种用于硅晶圆的减薄装置和方法，用于硅晶圆的减薄装置包括磨牙加载架，所述磨牙加载架呈长杆状，并用于围绕垂直穿过硅晶圆的圆心的旋转轴进行旋转；设置在所述磨牙加载架的下壁面上的磨牙，其中，所述磨牙加载架构造为沿着硅晶圆的直径方向远离或者靠近所述旋转轴以调节位置，该用于硅晶圆的减薄装置位置设置到位后，只绕固定的旋转轴进行旋转运动，直至到研磨深度，操作过程简单方便易于实现。
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公开(公告)号：CN116967150A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311234436.2
申请日：2023-09-25
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种硅片平坦度检测装置及硅片厚度分选系统，其中的硅片平坦度检测装置包括框架组件，在框架组件中安装直线模组、工作台、硅片固定座和转动部，硅片设置在转动部上。通过直线模组能够带动工作台、硅片固定座和转动部沿着直线运动，通过转动部能够带动硅片转动，因此当需要对硅片平坦度进行检测时，控制硅片沿着直线方向移动的同时进行转动，配合传感器组件中的激光位移传感器对硅片表面的平坦度进行检测即可。本申请的上述技术方案结构紧凑，激光位移传感器可快速准确地实现硅片表面的平坦度测量，能同时满足抛光后硅片亚纳米级平坦度检测的要求。
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