光输出控制方法及其装置

    公开(公告)号:CN1043203A

    公开(公告)日:1990-06-20

    申请号:CN89108880.6

    申请日:1989-11-30

    Inventor: 春田浩一

    CPC classification number: G11B11/10541

    Abstract: 一种光输出控制方法,这种方法是用偏振光照射磁性光学材料,其反射光通过偏振光光束分离器进行分光,再通过检偏器输出的光学系统,在该系统中,转动前述偏振光光束分离器,从而调整输出光的控制方法,这种方法可以增大磁性光学材料所具有的Kerr偏转角,并可得到具有良好C/N比的输出。

    磁光记录体
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1019241B

    公开(公告)日:1992-11-25

    申请号:CN88107242

    申请日:1988-10-17

    Abstract: 一种磁光记录体包括基片、磁光记录膜(I)和反射膜(II),所说的膜层按该顺序被层压在所说的基片上,所说的磁光记录膜(I)是无定形合金的薄膜,它含有(i)至少一种含量为20-90%(原子)的3d过渡金属,(ii)5~30%(原子)的至少一种耐腐蚀金属和(iii)至少一种含量为5-50%(原子)的稀土元素,并具有与膜平面垂直的平顺磁化轴,所说的反射膜(ii)含有热导率不大于2J/cm.sec.k的金属或合金。这里所描述的记录体除了优异的磁光记录性能之外还具有优异的抗氧化性。

    磁光记录介质
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1042257A

    公开(公告)日:1990-05-16

    申请号:CN89108072.4

    申请日:1989-10-17

    CPC classification number: G11B11/10582

    Abstract: 本发明提供了一种磁光记录介质,它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II),所述增强膜(I)是由SiOx(其中0<x<1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成,而所述磁光记录膜(II)是由[PdaPt1-a]y[RExTM1-x(其中至少50原子%的RF为Tb和/或Dy,其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm,TM为Fe和/或Co,且0≤a≤1,0.2<x<0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。

    磁光记录体
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1035007A

    公开(公告)日:1989-08-23

    申请号:CN88108562

    申请日:1988-12-10

    CPC classification number: G11B11/10589

    Abstract: 一种磁光记录体包括透明基片,第一层保护膜,磁光记录膜和第二层保护膜,所述的膜在所述的基片上以这次序叠层压制,该记录膜为一式:(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-y的无定形合金的薄膜,其中RE为由一组包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho选择出来的至少一种稀土元素,TM为由一组包括Fe和Co选择出来的至少一种过渡金属,且x和y为分别满足0.2<x<0.7和0.04<y<0.30的正数,并具有一垂直于该膜表面的磁化的平顺轴。

    磁光记录体
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1033892A

    公开(公告)日:1989-07-12

    申请号:CN88107242

    申请日:1988-10-17

    Abstract: 一种磁光记录体包括基片、磁光记录膜(I)和反射膜(II),所说的膜层按该顺序被层压在所说的基片上,所说的磁光记录膜(I)是无定形合金的薄膜,它含有(i)至少一种3d过渡金属,(ii)5~30%(原子)的至少一种耐腐蚀金属和(iii)至少一种稀土元素,并具有与膜平面垂直的平顺磁化轴,所说的反射膜(ii)含有热导率不大于2J/cm·sec·k的金属或合金。这里所描述的记录体除了优异的磁光记录性能之外还具有优异的抗氧化性。

    磁光记录介质
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1018304B

    公开(公告)日:1992-09-16

    申请号:CN89108072.4

    申请日:1989-10-17

    CPC classification number: G11B11/10582

    Abstract: 本发明提供了一种磁光记录介质,它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II),所述增强膜(I)是由SiOx(其中0<x<1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成,而所述磁光记录膜(II)是由[Pdapt1-a]y[RExTM1-x](其中至少50原子%的RE为Tb和/或Dy,其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm,TM为Fe和/或Co,且0≤a≤1,0.2≤x≤0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。

    非晶态合金薄膜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1042025A

    公开(公告)日:1990-05-09

    申请号:CN88107243

    申请日:1988-10-17

    Abstract: 本发明涉及一种非晶态合金薄膜,它包括(i)由Fe和Co中选取的至少一个元素,(ii)从Pt和Pd中选取的至少一种元素和(iii)由说明书中(a)—(h)中选取的至少一种元素,所述薄膜具有一个垂直于其表面的易磁化轴。该薄膜具有良好的磁光特性和抗氧化性能,其矫顽磁力和克耳角基本上不随时间而变化。此外,所述薄膜还具有高的反射率。

    磁光记录膜
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1032408A

    公开(公告)日:1989-04-12

    申请号:CN88103789

    申请日:1988-06-20

    Abstract: 根据本发明,此处提供磁光记录膜,该膜包括:(i)Pt和/或Pd(ii)稀土元素(RE),和(iii)Fe和/或Co,其中Pt和/或Pd以大于10原子%但不大于30原子%的量存在,Fe和/或Co以至少40原子%但不大于70原子%的量存在,以及Co/(Fe+Co)比(原子比)是0—0.3。本发明的磁光记录膜有优良的抗氧化性能并能被使用一个长时期,此外,它们的C/N比大,噪声度低并且也有优良的偏磁场可靠性。

Patent Agency Ranking