公开(公告)号：CN115667150B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202180037455.9

申请日：2021-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 米田佳弘 ,  马渡芳夫 ,  秋次宏二 ,  矶部敏宏

IPC: C01G25/00 ,  C01B25/37 ,  C01B25/45

Abstract: 本发明提供显示出负的热膨胀率、并且绝缘电阻高的新型化合物。其是由组成式Zr2.00‑bMbSYPZO12.00+δ(式中，M为选自Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Mo中的至少1种，0≤b 2.00，δ为按照满足电荷中性条件的方式确定的值)所表示的化合物。

公开(公告)号：CN115667150A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180037455.9

申请日：2021-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 米田佳弘 ,  马渡芳夫 ,  秋次宏二 ,  矶部敏宏

IPC: C01G25/00 ,  C01B25/37 ,  C01B25/45

Abstract: 本发明提供显示出负的热膨胀率、并且绝缘电阻高的新型化合物。其是由组成式Zr2.00‑bMbSYPZO12.00+δ(式中，M为选自Ti、Ce、Sn、Mn、Hf、Ir、Pb、Pd、Cr、W、Mo中的至少1种，0≤b 2.00，δ为按照满足电荷中性条件的方式确定的值)所表示的化合物。