公开(公告)号：CN104342623B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410077974.X

申请日：2014-03-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  刘泰锺

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 提供了一种溅射装置。该溅射装置包括：壳体；可旋转地布置在壳体上的旋转支架；布置在旋转支架上的目标单元；布置在目标单元内的磁体单元，该磁体单元能够相对于旋转支架进行相对移动；以及布置在旋转支架与磁体单元之间和/或壳体与磁体单元之间以沿着磁体单元的长度方向驱使磁体单元的施力单元。

公开(公告)号：CN104342622A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410069193.6

申请日：2014-02-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  尹大相 ,  全瑛芬

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供了一种溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。溅射装置包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；柱状目标单元，定位在室中并被设置为面对基板；防护单元，围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分；外部磁体元件，设置在防护单元外部以平行于所述柱状目标单元。根据以上装置和方法，可有效地执行薄膜形成工序并可容易地改善沉积膜的性质。

公开(公告)号：CN104342622B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201410069193.6

申请日：2014-02-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  尹大相 ,  全瑛芬

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 提供了一种溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。溅射装置包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；柱状目标单元，定位在室中并被设置为面对基板；防护单元，围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分；外部磁体元件，设置在防护单元外部以平行于所述柱状目标单元。根据以上装置和方法，可有效地执行薄膜形成工序并可容易地改善沉积膜的性质。

公开(公告)号：CN104342623A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410077974.X

申请日：2014-03-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  刘泰锺

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35

摘要： 提供了一种溅射装置。该溅射装置包括：壳体；可旋转地布置在壳体上的旋转支架；布置在旋转支架上的目标单元；布置在目标单元内的磁体单元，该磁体单元能够相对于旋转支架进行相对移动；以及布置在旋转支架与磁体单元之间和/或壳体与磁体单元之间以沿着磁体单元的长度方向驱使磁体单元的施力单元。

公开(公告)号：CN104120391A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310301221.8

申请日：2013-07-17

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

摘要： 本发明涉及一种用于对基板进行沉积工序的溅射装置，提供一种溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，溅射装置包括：腔室，配置有基板并且包括实现基板的沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部配置为与所述旋转型靶相隔开。

公开(公告)号：CN104073772A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310361795.4

申请日：2013-08-19

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 沈载润 ,  崔丞镐

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： H01J37/3461 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3455

摘要： 在溅射过程中能够有效减少目标损害的溅射装置包括：第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上；以及第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件。

公开(公告)号：CN102121095B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010260204.0

申请日：2010-08-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  郑石源 ,  崔永默 ,  宋贤根

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/352 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345 ,  H01J37/347

摘要： 公开了一种溅射系统，其包括第一和第二溅射单元、第一和第二气体供应管、第一和第二基底支撑单元。第一溅射单元包括：彼此面对的第一和第二沉积材料板；磁场产生器，位于第一和第二沉积材料板的后面。第二溅射单元包括：第三沉积材料板，靠近第一沉积材料板；第四沉积材料板，靠近第二沉积材料板，面对第三沉积材料板；磁场产生器，位于第三和第四沉积材料板的后面。第一气体供应管位于第一和第三沉积材料板之间，将气体排放到第二和第四沉积材料板。第二气体供应管位于第二和第四沉积材料板之间，将气体排放到第一和第三沉积材料板。第一基底支撑单元朝向第一和第二沉积材料板的外边缘。第二基底支撑单元朝向第三和第四沉积材料板的外边缘。

公开(公告)号：CN107435135B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201710372058.2

申请日：2017-05-24

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  柳海永 ,  李康熙

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本发明涉及一种溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法。溅射装置包括基板支架、第一对置靶单元、第二对置靶单元和电源单元。第一对置靶单元包括第一靶和至少一个第一磁性部，并操作来在邻近第一靶的第一等离子体区域中形成磁场。第二对置靶单元包括第二靶和至少一个第二磁性部，并操作来在邻近第二靶的第二等离子体区域中形成磁场。电源单元将第一电力电压提供到第一靶和第二靶。控制阳极在第二方向上面对基板支架，在第一对置靶单元与第二对置靶单元之间具有第一等离子体区域和第二等离子体区域，控制阳极接收大于第一电力电压的控制电压。

公开(公告)号：CN104342626B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201410350635.4

申请日：2014-07-22

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔丞镐 ,  朴锺珍

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/352 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

摘要： 溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置在所述腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

公开(公告)号：CN104018125B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201310281907.5

申请日：2013-07-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 沈载润 ,  崔丞镐 ,  尹大相

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/54

摘要： 本发明公开了一种溅射装置和利用该溅射装置的溅射方法。所公开的溅射方法通过下述步骤进行：从气体棒向靶喷射反应气体，进行对基板的成膜；对所述基板的成膜后的厚度分布进行测量；以及根据所述分布，按照所述靶的区域，区别适用所述气体棒的反应气体喷射量。通过这种溅射方式，能够均匀地形成在基板上形成的薄膜的厚度，从而能够使产品的质量稳定。