公开(公告)号：CN114093914A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110929164.2

申请日：2021-08-13

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金应泽 ,  金希娟 ,  申晃燮 ,  李娜莱 ,  李珍淑 ,  李宅根 ,  曹柱铉 ,  崔贞美 ,  崔洪准 ,  黄荣仁

IPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3233

摘要： 提供了显示装置。显示装置包括：包含有顺序地层叠的第一衬底和第二衬底的基础衬底、布置在第一衬底和第二衬底中的至少一个上的下半导体层、布置在基础衬底上的缓冲层、布置在缓冲层上并且包括第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层的有源半导体层、布置在有源半导体层上的第一绝缘层以及布置在第一绝缘层上并且包括第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极的第一导电层，其中，下半导体层与第一有源层重叠，并且不与第二有源层重叠。

公开(公告)号：CN117412630A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310862501.X

申请日：2023-07-13

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 申晃燮 ,  具奭勳 ,  金应泽 ,  金希娟 ,  李娜莱 ,  曺柱铉 ,  崔贞美 ,  崔洪准

IPC分类号： H10K59/122 ,  H10K59/123 ,  H10K59/12 ,  H10K59/131

摘要： 发明的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底；包括第一半导体层的第一晶体管和包括第二半导体层的第二晶体管，第一半导体层和第二半导体层位于基底上；发光二极管，连接到第一晶体管，其中：第一晶体管是驱动晶体管；第二晶体管是开关晶体管；包括在第一半导体层中的氟的第一浓度高于在第二半导体层中的氟的第二浓度；并且基本上在第一半导体层的第一界面处或附近的第一浓度与在第二半导体层的第一界面处或附近的第二浓度之间的第一差大于在第一半导体层的第二界面处的第一浓度与在第二半导体层的第二界面处的第二浓度之间的第二差，第二界面比第一界面远离基底。

公开(公告)号：CN114447038A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111049178.1

申请日：2021-09-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金应泽 ,  戎野浩平 ,  具奭勋 ,  李珍淑 ,  崔贞美 ,  黄荣仁 ,  金泰植 ,  徐珍淑 ,  申晃燮 ,  李宅根 ,  曹柱铉 ,  崔洪准 ,  金希娟 ,  李娜莱

IPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3233

摘要： 提供一种显示装置。显示装置包括：第一基板；第一电荷陷阱膜，配置在所述第一基板上，并且包括硅氮化物；半导体层，配置在所述第一电荷陷阱膜上，并且包括第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；以及发光元件，与所述第一晶体管电连接，所述第一电荷陷阱膜的Si元素含量相对于N元素含量的比率在1.6至2.5的范围内。