公开(公告)号：CN114447038A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111049178.1

申请日：2021-09-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金应泽 ,  戎野浩平 ,  具奭勋 ,  李珍淑 ,  崔贞美 ,  黄荣仁 ,  金泰植 ,  徐珍淑 ,  申晃燮 ,  李宅根 ,  曹柱铉 ,  崔洪准 ,  金希娟 ,  李娜莱

IPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3233

摘要： 提供一种显示装置。显示装置包括：第一基板；第一电荷陷阱膜，配置在所述第一基板上，并且包括硅氮化物；半导体层，配置在所述第一电荷陷阱膜上，并且包括第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；以及发光元件，与所述第一晶体管电连接，所述第一电荷陷阱膜的Si元素含量相对于N元素含量的比率在1.6至2.5的范围内。

公开(公告)号：CN112086061A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010532879.X

申请日：2020-06-12

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 黄荣仁 ,  孔智惠 ,  具奭勋 ,  金圣旭 ,  李珍雅 ,  朱允植

IPC分类号： G09G3/32 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3266 ,  H01L27/12

摘要： 提供了显示装置。显示装置包括多个像素。多个像素中的每个包括第一晶体管、第二晶体管、第一子晶体管和第二子晶体管，其中，第一晶体管包括连接到第一节点的栅电极、连接到第二节点的第一电极和连接到第三节点的第二电极，第二晶体管包括连接到第一扫描线的栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到第二节点的第二电极，第一子晶体管包括连接到第一扫描线的栅电极、连接到第一节点的第一电极和连接到第四节点的第二电极，并且第二子晶体管包括连接到第一扫描线的栅电极、连接到第四节点的第一电极和连接到第三节点的第二电极。第二子晶体管的沟道宽度宽于第一子晶体管的沟道宽度。

公开(公告)号：CN106935654A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610985215.2

申请日：2016-10-25

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 赵成民 ,  具奭勋

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L27/3248 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786 ,  H01L29/16

摘要： 所描述的技术大体上涉及用于显示设备的薄膜晶体管。示例性实施例提供了用于显示设备的薄膜晶体管，包括：基板；半导体，被布置在基板上，并且包括沟道以及布置在沟道的相对侧的源区和漏区；栅绝缘层，包括布置在基板和半导体上的第一栅绝缘层以及布置在第一栅绝缘层上并与沟道重叠的第二栅绝缘层；布置在第二栅绝缘层上的栅电极；直接布置在第一栅绝缘层和栅电极上的层间绝缘层；以及布置在层间绝缘层上并连接到半导体的源电极和漏电极，其中栅绝缘层的与栅电极重叠的部分的厚度可大于栅绝缘层的与源区重叠的部分的厚度以及栅绝缘层的与漏区重叠的部分的厚度。