检查装置
    1.
    发明公开
    检查装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN118335637A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410034769.9

    申请日:2024-01-10

    摘要: 提供了检查装置,检查装置包括图像输出单元、存储单元和神经网络处理单元,图像输出单元配置成输出针对包括氧化物半导体的检查目标的检查图像,存储单元配置成存储通过人工神经网络生成的多个基准图像和指示氧空位分布的多个基准数据,神经网络处理单元配置成将多个基准图像与检查图像进行比较并且选择与检查图像对应的选择基准图像并且基于与选择基准图像对应的选择基准数据来输出氧空位分布图像。

    显示装置
    2.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN116782685A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202211388277.7

    申请日:2022-11-08

    IPC分类号: H10K50/844 H10K59/38

    摘要: 显示装置包括:第一基板,包括第一区域、包围第一区域的第二区域以及包围第二区域的第三区域;第二基板,与第一基板对置;密封部件,配置在第一基板与第二基板之间,并且配置在第三区域中;滤色器层,配置在第二基板的下方;低折射层,配置在滤色器层的下方,与第一区域重叠,与密封部件间隔开;保护层,覆盖低折射层,包围低折射层的侧面,包括无机物质;以及色变换层,配置在保护层的下方,与第一区域重叠,包括彼此间隔开配置的多个色变换部。

    显示装置
    3.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117545316A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202310990522.X

    申请日:2023-08-08

    IPC分类号: H10K59/80 H10K59/38 H10K59/12

    摘要: 本申请涉及显示装置,该显示装置包括:基板;低折射率层,设置在基板上;第一封盖层,设置在低折射率层上并且直接接触低折射率层的上表面;第二封盖层,设置在第一封盖层上;以及波长转换层,设置在第二封盖层上并且具有比低折射率层的折射率高的折射率,其中,第一封盖层的氮原子比不同于第二封盖层的氮原子比。

    显示装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221812546U

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202322117453.X

    申请日:2023-08-08

    IPC分类号: H10K59/80 H10K59/38 H10K59/12

    摘要: 本申请涉及显示装置,该显示装置包括:基板;低折射率层,设置在基板上;第一封盖层,设置在低折射率层上并且直接接触低折射率层的上表面;第二封盖层,设置在第一封盖层上;以及波长转换层,设置在第二封盖层上并且具有比低折射率层的折射率高的折射率,其中,第一封盖层的氮原子比不同于第二封盖层的氮原子比。

    检查装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221805444U

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202420055829.0

    申请日:2024-01-10

    摘要: 提供了检查装置,检查装置包括图像输出单元、存储单元和神经网络处理单元,图像输出单元配置成输出针对包括氧化物半导体的检查目标的检查图像,存储单元配置成存储通过人工神经网络生成的多个基准图像和指示氧空位分布的多个基准数据,神经网络处理单元配置成将多个基准图像与检查图像进行比较并且选择与检查图像对应的选择基准图像并且基于与选择基准图像对应的选择基准数据来输出氧空位分布图像。