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公开(公告)号：CN110729278B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201910588532.4
申请日：2019-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H10D84/83 , H10D84/03
Abstract: 一种半导体器件可以包括：在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构；覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构，封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案；在衬底的第二区域上的对准标记，对准标记包括绝缘材料；以及在衬底的第二区域上的填充结构，填充结构覆盖对准标记的侧壁，并且包括第一填充图案、覆盖第一填充图案的下表面和侧壁的第二填充图案以及覆盖第二填充图案的下表面和侧壁的第二蚀刻停止图案。
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公开(公告)号：CN110729278A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910588532.4
申请日：2019-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件可以包括：在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构；覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构，封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案；在衬底的第二区域上的对准标记，对准标记包括绝缘材料；以及在衬底的第二区域上的填充结构，填充结构覆盖对准标记的侧壁，并且包括第一填充图案、覆盖第一填充图案的下表面和侧壁的第二填充图案以及覆盖第二填充图案的下表面和侧壁的第二蚀刻停止图案。
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公开(公告)号：CN115939048A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210980967.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种能够提高器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：栅极结构，该栅极结构包括栅电极和在栅电极的上表面上的栅极覆盖图案；在栅极结构的至少一侧上的源极/漏极图案；以及源极/漏极接触，在源极/漏极图案的上表面上并与源极/漏极图案的上表面连接，源极/漏极接触沿着栅电极的侧壁延伸，其中源极/漏极接触的上表面包括凸曲面。
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公开(公告)号：CN111490048B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911270314.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111715584B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010200041.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底清洁设备和包括其的衬底处理系统。所述衬底清洁设备包括支承衬底的衬底支架、摆动体、头部、第一清洁液体供应结构和第二清洁液体供应结构。摆动体在衬底的主表面上沿着扫描线移动。头部耦接至摆动体，并且包括面对衬底支架的垫附接表面。第一清洁液体供应结构耦接至摆动体，并且将第一清洁液体喷洒至衬底的主表面上。第二清洁液体供应结构将第二清洁液体喷洒至衬底的主表面上。缓冲垫附接于垫附接表面。
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公开(公告)号：CN111715584A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010200041.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底清洁设备和包括其的衬底处理系统。所述衬底清洁设备包括支承衬底的衬底支架、摆动体、头部、第一清洁液体供应结构和第二清洁液体供应结构。摆动体在衬底的主表面上沿着扫描线移动。头部耦接至摆动体，并且包括面对衬底支架的垫附接表面。第一清洁液体供应结构耦接至摆动体，并且将第一清洁液体喷洒至衬底的主表面上。第二清洁液体供应结构将第二清洁液体喷洒至衬底的主表面上。缓冲垫附接于垫附接表面。
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公开(公告)号：CN111490048A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911270314.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。
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公开(公告)号：CN110854144A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910768375.5
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体装置包括：包括像素区和输入/输出区的衬底；延伸贯穿像素区中的衬底的像素隔离图案；置于开口内壁上的第一过孔，该开口延伸贯穿输入/输出区中的衬底，其中，第一过孔包括第一导电材料；置于像素隔离图案上的防干扰图案，其中，防干扰图案包括第二导电材料；和置于衬底上的第一绝缘间层。第一绝缘间层覆盖第一过孔和防干扰图案，并包括置于开口中的第一部分和置于开口外的第二部分。第一部分包括凹入的上表面，第二部分包括实质上平坦的上表面。该装置还包括置于第一绝缘间层第一部分上的抛光停止图案和置于抛光停止图案上的绝缘图案，其中，绝缘图案填充开口的剩余部分，绝缘图案包括与第一绝缘间层第二部分的上表面实质上共面的上表面。
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公开(公告)号：CN101005025A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710086036.6
申请日：2007-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种在具有密集和稀疏区域的半导体器件的制造中使用的化学机械抛光(CMP)方法。该方法通过刚性固定研磨抛光垫使用形成在密集和稀疏区域上的研磨停止层来控制形成在研磨停止层上的材料层的抛光。
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