晶圆检查设备
    2.
    发明公开
    晶圆检查设备 审中-公开

    公开(公告)号:CN112420553A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202010824509.3

    申请日:2020-08-17

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/683

    摘要: 一种晶圆检查设备,包括支撑结构,其包括框架和安装在框架上的真空吸盘,每一个真空吸盘具有包括真空抽吸部分的支撑表面,所述支撑结构被配置为在结构上支撑一个或多个真空吸盘上的晶圆,所述框架限定其面积大于晶圆的面积的开口。所述晶圆检查设备包括:电磁波发射器,其被配置为将检查电磁波辐射到晶圆;传感器,其被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波;以及驱动器,其被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个,以改变晶圆的辐射位置。每一个真空吸盘被配置为关于框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。

    化学机械抛光设备和制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN110871396A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910599793.6

    申请日:2019-07-04

    IPC分类号: B24B37/013 H01L21/67

    摘要: 一种化学机械抛光设备包括:抛光头,其包括抛光头主体、附于抛光头主体的下部的薄膜和布置在抛光头主体与薄膜之间的反射器;包括开口的托盘;发射器,其布置在托盘的开口下方,该发射器被构造为发射太赫波;检测器,其布置在托盘的开口下方,该检测器被构造为接收从发射器发射的太赫波和从反射器反射的太赫波;以及分析器,其被构造为分析通过转换由检测器接收到的太赫波而产生的电信号,该分析器被构造为确定抛光结束点。