半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统

    公开(公告)号:CN117998851A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311461200.2

    申请日:2023-11-06

    摘要: 公开了一种半导体装置和一种数据存储系统。半导体装置包括:第一半导体结构,其包括位于第一衬底上的电路装置、连接到电路装置的下互连结构、和连接到下互连结构的下接合结构;以及第二半导体结构,其包括:第二衬底,其位于第一半导体结构上;停止层,其与第二衬底的下表面接触;栅电极,其在竖直方向上堆叠并且彼此间隔开;沟道结构,其穿透栅电极,并且各自包括沟道层;位于栅电极下方的上互连结构;与第二衬底间隔开的外围接触插塞;以及接合到下接合结构的上接合结构,其中,沟道结构穿透停止层的至少一部分,并且其中,外围接触插塞穿透停止层的至少一部分。

    化学机械抛光设备和制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN110871396A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910599793.6

    申请日:2019-07-04

    IPC分类号: B24B37/013 H01L21/67

    摘要: 一种化学机械抛光设备包括:抛光头,其包括抛光头主体、附于抛光头主体的下部的薄膜和布置在抛光头主体与薄膜之间的反射器;包括开口的托盘;发射器,其布置在托盘的开口下方,该发射器被构造为发射太赫波;检测器,其布置在托盘的开口下方,该检测器被构造为接收从发射器发射的太赫波和从反射器反射的太赫波;以及分析器,其被构造为分析通过转换由检测器接收到的太赫波而产生的电信号,该分析器被构造为确定抛光结束点。