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公开(公告)号：CN1941857A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610162741.5
申请日：2006-08-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H04N5/3742 , H04N5/3575 , H04N5/378
摘要： 一种图像传感器，包括有源像素传感器(APS)阵列，第一模数转换器(ADC)和斜坡信号发生器。APS阵列包括排列成二维矩阵的多个像素，其中APS阵列产生用于每列所选择的APS阵列的复位信号和图像信号。第一ADC包括关联双采样(CDS)电路阵列，该关联双采样(CDS)电路阵列包括为每列APS阵列设置的CDS电路，其中第一ADC从采用斜坡信号由CDS电路产生的复位信号和图像信号之间的差值对应的信号中产生数字代码。该斜坡信号发生器产生斜坡信号，其中第二ADC接收所产生的斜坡信号的反馈并且产生反馈基准代码，其中斜坡信号发生器基于采用反馈基准代码进行比较的结果来校准斜坡信号。
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公开(公告)号：CN103137621A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210486721.9
申请日：2012-11-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/8232 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/8236 , H01L21/77 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L25/00 , H01L27/00 , H01L27/0883 , H01L29/66545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极。第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。
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公开(公告)号：CN111277776A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010156068.4
申请日：2016-04-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/369
摘要： 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：多个像素；斜坡产生请，产生斜坡信号；多个模数转换器，包括第一至第四模数转换器；第一缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第一和第二模数转换器的第一输出节点；第二缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第三和第四模数转换器的第二输出节点；分别连接到第一至第四模数转换器和第一至第四缓冲器的第一至第四电容器；分别连接到第一至第四模数转换器的第一至第四计数器，其中，多个像素至少具有一千万个像素。
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公开(公告)号：CN109151347A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811372912.6
申请日：2016-04-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/365 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/37455 , H04N5/3658 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：多个像素，每个像素被配置为产生像素信号；多个模数转换器，包括第一组模数转换器和第二组模数转换器，第一组模数转换器包括第一模数转换器和第二模数转换器，第二组模数转换器包括第三模数转换器和第四模数转换器，每个模数转换器被配置为将像素信号转换为数字信号；阻断电路，包括连接到第一模数转换器的第一缓冲器、连接到第二模数转换器的第二缓冲器、连接到第三模数转换器的第三缓冲器和连接到第四模数转换器的第四缓冲器，其中，第一缓冲器、第二缓冲器、第三缓冲器和第四缓冲器中的每个缓冲器包括电流源和连接到该电流源的晶体管。
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公开(公告)号：CN106358026A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610561105.3
申请日：2016-07-15
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 咸锡宪
IPC分类号： H04N9/04 , H04N5/232 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/23212 , H04N5/3696 , H04N5/374 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N9/045 , H04N5/3745
摘要： 提供了包括自动对焦像素的图像传感器和包括其的图像处理系统。所述图像传感器包括：像素阵列，包括具有R、G和B拜尔模式的第一像素至第四像素；模数转换器(ADC)块，构造为将第一像素至第四像素中的每个的像素信号转换为数字像素信号。第一像素至第四像素中的至少一个包括沿第一方向分开的两个光电二极管，第一像素至第四像素中的至少另一个包括沿与第一方向不同的第二方向分开的两个光电二极管。
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公开(公告)号：CN1941857B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610162741.5
申请日：2006-08-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H04N5/3742 , H04N5/3575 , H04N5/378
摘要： 一种图像传感器，包括有源像素传感器(APS)阵列，第一模数转换器(ADC)和斜坡信号发生器。APS阵列包括排列成二维矩阵的多个像素，其中APS阵列产生用于每列所选择的APS阵列的复位信号和图像信号。第一ADC包括关联双采样(CDS)电路阵列，该关联双采样(CDS)电路阵列包括为每列APS阵列设置的CDS电路，其中第一ADC从采用斜坡信号由CDS电路产生的复位信号和图像信号之间的差值对应的信号中产生数字代码。该斜坡信号发生器产生斜坡信号，其中第二ADC接收所产生的斜坡信号的反馈并且产生反馈基准代码，其中斜坡信号发生器基于采用反馈基准代码进行比较的结果来校准斜坡信号。
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公开(公告)号：CN101221965A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710305783.4
申请日：2007-11-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H04N5/374
摘要： 示范性实施例涉及一种CMOS图像传感器的像素结构及相关方法。该像素结构可以包括第一导电性衬底，在该第一导电性衬底中的第二导电性光电二极管区域，和在该第二导电性光电二极管区域上的电容器电极。
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公开(公告)号：CN111277776B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010156068.4
申请日：2016-04-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/369
摘要： 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：多个像素；斜坡产生器，产生斜坡信号；多个模数转换器，包括第一至第四模数转换器；第一缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第一和第二模数转换器的第一输出节点；第二缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第三和第四模数转换器的第二输出节点；分别连接到第一至第四模数转换器和第一至第四缓冲器的第一至第四电容器；分别连接到第一至第四模数转换器的第一至第四计数器，其中，多个像素至少具有一千万个像素。
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公开(公告)号：CN108347247B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201810373847.2
申请日：2013-09-09
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种图像传感器。图像传感器的一个实施例包括：像素阵列，被构造为产生至少一个像素信号；斜波发生器，被构造为产生斜波信号；模数转换器，被构造为接收斜波信号和所述至少一个像素信号，并产生表示所述至少一个像素信号的数字信号，模数转换器包括：至少一个比较器，所述至少一个比较器具有被构造为输出比较结果信号的输出节点；限制电路，电连接到输出节点，限制电路包括开关和二极管，开关串联连接到二极管，限制电路被构造为如果比较结果信号变化，则通过创建地和电源中的一个与输出节点之间的电流路径来抑制总电流的变化，其中，总电流是流过所述至少一个比较器的电流加上流过限制电路的电流。
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