公开(公告)号：CN101221965A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710305783.4

申请日：2007-11-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 咸锡宪 ,  金甫俓 ,  蔡瑛澈 ,  韩囝熙

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/374

摘要： 示范性实施例涉及一种CMOS图像传感器的像素结构及相关方法。该像素结构可以包括第一导电性衬底，在该第一导电性衬底中的第二导电性光电二极管区域，和在该第二导电性光电二极管区域上的电容器电极。

公开(公告)号：CN112444323A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010655435.5

申请日：2020-07-09

申请人： 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 朴晟植 ,  蔡瑛澈

IPC分类号： G01K7/34 ,  G01K7/01

摘要： 一种被配置为生成与感测和/或测量的温度对应的输出信号的温度传感器，包括：二极管，其包括耦接到接地节点的阴极；第一电容器，其包括耦接到接地节点的第一端部；开关电路，其被配置为根据控制信号将第一电容器的第二端部连接到正电压节点或二极管的阳极；开关控制电路系统，其被配置为基于参考电压与阳极的电压来生成控制信号；以及输出信号生成器，其被配置为基于控制信号的频率来生成与感测的温度对应的输出信号。