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公开(公告)号：CN109698109B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201811228077.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。
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公开(公告)号：CN117790360A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149424.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供了衬底处理装置、衬底处理方法以及制造半导体器件的方法。衬底处理方法包括：提供工艺气体；通过等离子体点火从工艺气体中生成包括第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的初步蚀刻剂；通过控制初步蚀刻剂的成分比来生成工艺蚀刻剂；以及用工艺蚀刻剂执行衬底的选择性蚀刻。
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公开(公告)号：CN109698110B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811235291.7
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110634724A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910524933.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。
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公开(公告)号：CN110634724B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910524933.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/336
Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。
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公开(公告)号：CN115938901A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210991671.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种基底处理设备。所述基底处理设备包括：第一组内表面至第四组内表面，分别至少部分地限定等离子体形成区域、气体供应区域、气体混合区域和基底处理区域，其中，基底处理设备被构造为在等离子体形成区域内形成等离子体，将处理气体从气体供应区域供应到等离子体形成区域，基于从等离子体形成区域供应的自由基的重组而在气体混合区域中形成蚀刻剂，并且基于基底处理区域内的蚀刻剂来处理基底；喷头，位于气体混合区域与基底处理区域之间，并且被构造为将蚀刻剂供应到基底处理区域；涂层，覆盖喷头的表面，并且包括含磷(P)的镍(Ni)；以及加热器，被构造为控制喷头的表面温度。
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公开(公告)号：CN109698110A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811235291.7
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32596 , H01J1/025 , H01J37/32009 , H01J37/32899 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。
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公开(公告)号：CN109698109A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811228077.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源，电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔，孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体，使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。
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