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公开(公告)号：CN101441873B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200810212611.7
申请日：2008-08-21
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种磁记录介质及其制造方法，为了增大磁记录介质的记录密度，所述磁记录介质被构造为通过连续地形成具有薄膜状的第一磁层和包括图案化的磁比特的第二磁层的多个磁层。第一磁层具有大于第二磁层的磁各向异性系数的磁各向异性系数。
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公开(公告)号：CN101206871A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710196197.0
申请日：2007-11-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种图案化磁记录介质及其制造方法。所述图案化磁记录介质包括基底和按照预定的间隔设置的多个磁记录层，其中，所述磁记录层由包括Co、Pt和Ni的合金形成。具有所述磁记录层的图案化介质具有优良的读/写特性、高的抗腐蚀性和记录密度。
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公开(公告)号：CN101174416A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710140113.1
申请日：2007-08-02
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G02B6/125 , B82Y10/00 , G02B6/305 , G11B5/314 , G11B7/124 , G11B7/1387 , G11B11/10532 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： 提供一种弯曲波导管，其包括：核，具有输入端和输出端，其中，输出端具有近场增强孔结构；金属包层，包围所述核。所述核被弯曲为曲形，所述曲形的曲率半径是透射光的强度相对于入射光的波长为最大时的谐振半径。因此，可将入射光的方向改变预定角度，同时保持传统近场增强孔的场增强特性，而不需要另外的光学元件。
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公开(公告)号：CN102759853A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210192665.8
申请日：2008-08-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G03F7/2014 , G03F1/50 , G03F7/70375
摘要： 本发明提供了一种制造离散轨道磁记录介质的方法。该制造离散轨道磁记录介质的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。
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公开(公告)号：CN101403854A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810145253.2
申请日：2008-08-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G03F7/2014 , G03F1/50 , G03F7/70375
摘要： 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有线图案以预定的间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案；(c)去除金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101174425A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710162730.1
申请日：2007-10-08
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B2005/0005 , G11B2005/0029
摘要： 本发明提供了一种包括以预定的规则间隔布置在基底上的多个磁记录层的图案化磁记录介质，其中，磁记录层为多层的并包括抑制磁记录层之间的磁相互作用的装置。磁记录层包括顺序层叠的第一铁磁层、抑制磁相互作用的装置和第二铁磁层，其中，抑制磁相互作用的装置为软磁层。
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公开(公告)号：CN101174416B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200710140113.1
申请日：2007-08-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/125 , B82Y10/00 , G02B6/305 , G11B5/314 , G11B7/124 , G11B7/1387 , G11B11/10532 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： 本发明提供一种弯曲波导管，其包括：核，具有输入端和输出端，其中，输出端具有近场增强孔结构；金属包层，包围所述核。所述核被弯曲为曲形，所述曲形的曲率半径是透射光的强度相对于入射光的波长为最大时的谐振半径。因此，可将入射光的方向改变预定角度，同时保持传统近场增强孔的场增强特性，而不需要另外的光学元件。
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公开(公告)号：CN101271174B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810085435.5
申请日：2008-03-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/314 , G11B2005/0021
摘要： 本发明提供一种金属波导及其制造方法、光传输模块以及热辅助磁记录头。所述金属波导包括金属体，该金属体由导电金属形成并且包括穿过该金属体形成的孔，所述孔具有输入端和输出端。所述孔具有：弯曲部分，用于改变所述输入端和输出端之间的光传播方向；锥形部分，位于所述弯曲部分和所述输出端之间。所述锥形部分的宽度朝着所述输出端逐渐减小，并且所述孔通过形成在所述金属体的内表面上的脊而形成为C形。
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公开(公告)号：CN101174425B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200710162730.1
申请日：2007-10-08
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B2005/0005 , G11B2005/0029
摘要： 本发明提供了一种包括以预定的规则间隔布置在基底上的多个磁记录层的图案化磁记录介质，其中，磁记录层为多层的并包括抑制磁记录层之间的磁相互作用的装置。磁记录层包括顺序层叠的第一铁磁层、抑制磁相互作用的装置和第二铁磁层，其中，抑制磁相互作用的装置为软磁层。
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公开(公告)号：CN101377618A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810130342.X
申请日：2008-07-11
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
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