公开(公告)号：CN101308812A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099060.8

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康湳婷 ,  禹东秀 ,  洪亨善 ,  金东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855

Abstract: 提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间；以及，形成跨越多个互连图案的多个第一掩膜图案，多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有上绝缘层的半导体基板上相互平行。方法可以包括：形成第二掩膜图案，其自对准于多个第一掩膜图案并且位于多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间，使用第一和第二掩膜图案和多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀上绝缘层和下绝缘层，以形成使半导体基板暴露的多个接触孔，并且在多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN118076099A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311469975.4

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康湳婷 ,  南基钦 ,  崔智贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括设置在外围电路区域中的外围电路晶体管。第一连接线和第二连接线设置在外围电路晶体管上方的同一平面上。第二连接线包括断开部分。单元电容器设置在单元区域中的基底上。第一板图案在单元电容器上。第二板图案在第一板图案的表面的一部分上。第一接触插塞直接接触第二板图案的上表面。第三连接线设置在第二连接线上方。第三连接线面向断开部分。第二接触插塞垂直延伸以直接接触第三连接线的侧壁和第二连接线的上表面两者。第三连接线设置在与第二板图案相同的平面上。

公开(公告)号：CN101308812B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810099060.8

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康湳婷 ,  禹东秀 ,  洪亨善 ,  金东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855

Abstract: 提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间；以及，形成跨越多个互连图案的多个第一掩膜图案，多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有上绝缘层的半导体基板上相互平行。方法可以包括：形成第二掩膜图案，其自对准于多个第一掩膜图案并且位于多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间，使用第一和第二掩膜图案和多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀上绝缘层和下绝缘层，以形成使半导体基板暴露的多个接触孔，并且在多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。还提供了半导体器件。