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发明公开
掩模制造方法、用该掩模制造的半导体装置及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115084133A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210146379.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 , 金勇儿 , 朴东孝 , 朴性律 , 李昌炫

IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , G03F1/80 , G03F1/76

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括第一区域、第二区域和放置在第一区域与第二区域之间的连接区域；多个第一多沟道有源图案，其放置在衬底的第一区域中；多个第二多沟道有源图案，其放置在衬底的第二区域中；第一连接鳍型图案，其放置在衬底的连接区域中，并且在第一方向上从第一区域延伸到第二区域；以及场绝缘膜，其放置在衬底上，并且覆盖第一连接鳍型图案的上表面，其中，第一连接鳍型图案在第二方向上的宽度随着其远离第一区域而减小并且随后增大，并且第一方向垂直于第二方向。

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