公开(公告)号：CN115084133A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210146379.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金勇儿 ,  朴东孝 ,  朴性律 ,  李昌炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其包括第一区域、第二区域和放置在第一区域与第二区域之间的连接区域；多个第一多沟道有源图案，其放置在衬底的第一区域中；多个第二多沟道有源图案，其放置在衬底的第二区域中；第一连接鳍型图案，其放置在衬底的连接区域中，并且在第一方向上从第一区域延伸到第二区域；以及场绝缘膜，其放置在衬底上，并且覆盖第一连接鳍型图案的上表面，其中，第一连接鳍型图案在第二方向上的宽度随着其远离第一区域而减小并且随后增大，并且第一方向垂直于第二方向。

公开(公告)号：CN118192154A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311235039.7

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金勇儿

IPC: G03F1/36

Abstract: 一种光学近接校正(OPC)方法，包括：在生成用于晶片上的目标图案的掩模布局，将掩模布局的边划分成分段，通过以预定角度旋转掩模布局来生成经旋转的掩模布局，通过将关于经旋转的掩模布局的分段的数据输入到OPC模型来提取目标图案的轮廓，计算每个分段的边放置误差(EPE)，确定是否重新执行对目标图案的轮廓的提取，当确定重新执行对目标图案的轮廓的提取时计算分段的位移，以及按照位移移动分段；在按照所述位移移动所述分段之后，重复对所述目标图案的轮廓的提取。

公开(公告)号：CN116387315A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310002575.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金勇儿

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源鳍，具有第一鳍型图案和在其间的第一分离区；第二有源鳍，具有第二鳍型图案和在其间的第二分离区，其中第一有源鳍和第二有源鳍之间的第一沟槽区具有第一深度，并且第一鳍型图案和第二鳍型图案被第一沟槽区合并；与第一有源鳍相邻的第三有源鳍，其中第一有源鳍和第三有源鳍之间的第二沟槽区具有大于第一深度的第二深度；以及与第一有源鳍和第二有源鳍以及第三有源鳍交叉的至少一条第一栅极线。