公开(公告)号：CN105821385B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201510817454.2

申请日：2015-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  朴辰晩 ,  洪锡武 ,  赵晟祜 ,  朴明宽 ,  沈载原

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

摘要： 提供了一种非晶和纳米氮化物复合薄膜、一种用于形成其的方法和一种具有其的电子装置。所述非晶和纳米氮化物复合薄膜具有复合结构，在复合结构中，包括作为氮化物构成元素的Zr和Al的氮化物相与至少一种金属相混合，其中，金属相包括从包括Cu和Ni的组中选择的至少一种元素，所述氮化物相包括晶粒尺寸在10nm至500nm的范围内的ZrN结晶相，所述ZrN结晶相的体积分数是10％或更多。

公开(公告)号：CN106448823B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610519156.X

申请日：2016-07-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  李柱浩 ,  朴辰晩 ,  李坽洙

IPC分类号： H01B5/14 ,  B82Y30/00

摘要： 提供一种使用非晶合金的透明电极及其制造方法。所述透明电极包括柔性基底和非晶合金层，所述非晶合金层被构造为具有导电性并在柔性基底上形成为具有多个孔隙。

公开(公告)号：CN105821385A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510817454.2

申请日：2015-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  朴辰晩 ,  洪锡武 ,  赵晟祜 ,  朴明宽 ,  沈载原

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/0036

摘要： 提供了一种非晶和纳米氮化物复合薄膜、一种用于形成其的方法和一种具有其的电子装置。所述非晶和纳米氮化物复合薄膜具有复合结构，在复合结构中，包括作为氮化物构成元素的Zr和Al的氮化物相与至少一种金属相混合，其中，金属相包括从包括Cu和Ni的组中选择的至少一种元素，所述氮化物相包括晶粒尺寸在10nm至500nm的范围内的ZrN结晶相，所述ZrN结晶相的体积分数是10％或更多。

公开(公告)号：CN106448823A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610519156.X

申请日：2016-07-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  李柱浩 ,  朴辰晩 ,  李坽洙

IPC分类号： H01B5/14 ,  B82Y30/00

摘要： 提供一种使用非晶合金的透明电极及其制造方法。所述透明电极包括柔性基底和非晶合金层，所述非晶合金层被构造为具有导电性并在柔性基底上形成为具有多个孔隙。