公开(公告)号：CN114497007A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111233727.0

申请日：2021-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟斗 ,  朴尚度

IPC: H01L25/065

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；硬宏，所述硬宏设置在所述衬底的所述第一表面上，包括单元区和沿着所述单元区的周边形成的光晕区，并且包括设置在第一金属层级的第一连接布线并具有从所述单元区延伸到所述光晕区的至少一部分；第一电源轨，所述第一电源轨设置在所述衬底的所述第二表面上并接收第一电压；以及第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿透所述光晕区和所述衬底，以连接所述第一电源轨和所述第一连接布线并且是单个结构。

公开(公告)号：CN112599519A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010976010.4

申请日：2020-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成玉 ,  朴尚度 ,  西门浚 ,  李奉炫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 半导体器件可以包括在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面。每个所述标准单元可以包括半导体元件。所述半导体器件还可以包括位于两个标准单元之间的填充单元，并且每个所述填充单元可以包括填充有源区和连接到所述填充有源区且可以在所述第一方向上延伸的填充接触。所述半导体器件还可以包括电连接到至少一个所述半导体元件且可以在所述第二方向上延伸到至少一个所述填充单元中的下布线图案，并且所述填充接触可以包括低于所述下布线图案且连接到至少一个所述下布线图案的布线填充接触。

公开(公告)号：CN112786582A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011164681.7

申请日：2020-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁在完 ,  金旴泰 ,  金亨沃 ,  朴尚度 ,  西门浚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/14

Abstract: 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括：对标准单元进行布局；调整电源通路图案的尺寸，以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度；和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案，以对所述标准单元执行布线操作。

公开(公告)号：CN114765154A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210021665.5

申请日：2022-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成玉 ,  李丙贤 ,  朴尚度

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括标准单元区。该半导体器件包括：基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一电源布线，在基板的第一表面上在第一方向上延伸，并配置为向标准单元区提供第一电源电压；第二电源布线，在基板的第一表面上在第一方向上延伸，在与第一方向相交的第二方向上与第一电源布线交替排布，并配置为向标准单元区提供不同于第一电源电压的第二电源电压；第一后布线线路，在基板的第二表面上；以及沿着第二方向排布的多个第一分接单元区，其中每个第一分接单元区包括穿透基板并且连接第一电源布线和第一后布线线路的第一贯穿通路。

公开(公告)号：CN116110850A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211355938.6

申请日：2022-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炫圭 ,  都桢湖 ,  朴尚度 ,  徐在禹 ,  柳志秀 ,  郑珉在 ,  曹多演

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/50

Abstract: 提供了一种包括多个堆叠的金属层的集成电路和制造该集成电路的方法。所述方法包括以下步骤：设置多个标准单元，所述多个标准单元中的每个标准单元包括分别形成在所述多个金属层上的单元图案；以及在所述多个金属层之中的包括分别形成在多条迹线上的图案的特定金属层上，基于形成在所述多条迹线中的特定迹线上的相邻图案之间的间隔超过参考值而在所述相邻图案之间形成附加图案，所述图案在第一方向上延伸，所述多条迹线在第二方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN114446945A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111255028.6

申请日：2021-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹多演 ,  金亨沃 ,  朴尚度

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 一种半导体装置包括：标准单元，其位于与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向相交的第二方向上；和填充物单元，其位于标准单元中的标准单元之间。标准单元中的每一个包括有源区、与有源区相交的栅极结构、在有源区上位于栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及互连线。填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与填充物有源区相交的填充物栅极结构。标准单元包括在第二方向上分别顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元。第一互连线以第一间距布置，第二互连线以第二间距布置，并且第三互连线以与第一间距和第二间距不同的第三间距布置。

公开(公告)号：CN113782513A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110343914.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容彻 ,  权住妍 ,  朴尚度

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  G06F30/3953

Abstract: 一种集成电路(IC)，包括：第一单元，包括在第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第二单元，在所述第一方向上邻近所述第一单元，并且包括在所述第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第一单元隔离层，在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述第一单元和所述第二单元之间延伸；以及第一配线，在所述第一方向上延伸，与所述第一单元隔离层重叠，并且连接到所述第一单元的输出引脚和所述第二单元的输入引脚，其中，所述第一单元的输出引脚、所述第二单元的输入引脚和所述第一配线形成在第一导电层中，作为在所述第一方向上延伸的第一图案。