公开(公告)号：CN116435347A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310003738.2

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  张在兰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。

公开(公告)号：CN118866871A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410497767.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍煐 ,  申宪宗 ,  姜在玄 ,  宋永秀

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，该第一有源区域包括间隔开第一间隔的第一有源图案，该第二有源区域包括间隔开第二间隔的第二有源图案；第一源/漏区和第二源/漏区，在第一有源区域和第二有源区域上；第一接触结构和第二接触结构，连接到第一源/漏区和第二源/漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，连接到第一接触结构和第二接触结构；电力输送结构，与第一导电贯通结构和第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构；以及后侧互连结构。第一导电贯通结构可以通过第一接触结构连接到第一源/漏区。第二导电贯通结构可以通过前侧互连结构连接到第二源/漏区。第二间隔可以与第一间隔不同。

公开(公告)号：CN116364776A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211664988.2

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  朴贤镐 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  张在兰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。

公开(公告)号：CN115706113A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210935223.1

申请日：2022-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭珉灿 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，在衬底上与有源区相交，沿第二方向延伸，并包括向上突出的接触区；以及互连线，在栅电极上并与接触区连接，其中，接触区包括：下部区，在第二方向上具有第一宽度；以及上部区，位于下部区上并且在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度，其中接触区在第二方向上的至少一个侧表面具有在下部区和上部区之间的点，在该点处倾斜度或曲率改变。

公开(公告)号：CN115440662A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210135336.3

申请日：2022-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  郭玟燦 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底上的有源图案；所述有源图案上的源/漏图案；被连接到所述源/漏图案的沟道图案；所述沟道图案上的栅电极；所述源/漏图案上的有源接触部；所述栅电极上的第一下互连线；以及在所述有源接触部上并且与所述第一下互连线在相同高度上的第二下互连线。栅电极可以包括电极主体部和电极突起部，其中电极突起部从所述电极主体部的顶表面突起并且与其上方的第一下互连线接触。有源接触部可以包括接触主体部和接触突起部，其中接触突起部从所述接触主体部的顶表面突起并且与其上方的第二下互连线接触。

公开(公告)号：CN119698059A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410955717.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大湜 ,  金善培 ,  权兑勇 ,  金昶熹 ,  李斗铉 ,  姜在玄 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  李真旭 ,  黄胜贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

公开(公告)号：CN116913916A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310306078.5

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  张在兰

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。

公开(公告)号：CN115939207A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210664011.4

申请日：2022-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  朴贤镐 ,  郭玟燦 ,  金善培 ,  朴珍煐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源区域和第二有源区域，位于基底上；第一有源图案和第二有源图案，位于第一有源区域上和第二有源区域上；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，位于第一有源图案和第二有源图案上；第一硅化物图案和第二硅化物图案，位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案上；以及第一有源接触件和第二有源接触件，结合到第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。第一有源接触件的最下面的部分位于比第二有源接触件的最下面的部分的水平高的水平处。第一硅化物图案的厚度大于第二硅化物图案的厚度。