公开(公告)号：CN109427963A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810933078.7

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东康 ,  冯艮 ,  伊赫提尔 ,  穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。

公开(公告)号：CN109427963B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201810933078.7

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东康 ,  冯艮 ,  伊赫提尔 ,  穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。