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公开(公告)号：CN112838160B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010735660.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 伊克提亚 , 郑在佑 , 穆罕默德·陶菲克·考瑞比 , 唐雪缇
Abstract: 描述了磁性结、磁性装置和用于提供磁性结的方法。所述磁性结包括自由层以及位于自由层上的氧化物夹层。氧化物夹层包括至少一种玻璃形成剂。在某些方面，磁性结还包括参考层以及位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层位于非磁性间隔层与氧化物夹层之间。
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公开(公告)号：CN109427963A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810933078.7
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东康 , 冯艮 , 伊赫提尔 , 穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 , 唐雪缇
Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。
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公开(公告)号：CN109427963B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810933078.7
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东康 , 冯艮 , 伊赫提尔 , 穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 , 唐雪缇
Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。
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公开(公告)号：CN112838160A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010735660.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 伊克提亚 , 郑在佑 , 穆罕默德·陶菲克·考瑞比 , 唐雪缇
Abstract: 描述了磁性结、磁性装置和用于提供磁性结的方法。所述磁性结包括自由层以及位于自由层上的氧化物夹层。氧化物夹层包括至少一种玻璃形成剂。在某些方面，磁性结还包括参考层以及位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层位于非磁性间隔层与氧化物夹层之间。
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