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公开(公告)号：CN114765186A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111482453.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 提供了具有掺杂的层间绝缘层的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括：下存储器堆叠体，设置在基底上并且包括下栅电极和下阶梯结构；上存储器堆叠体，包括上栅电极和上阶梯结构；下层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖下阶梯结构，下层间绝缘层具有朝向下阶梯结构逐渐增大的掺杂浓度；上层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖上阶梯结构和下层间绝缘层，上层间绝缘层具有朝向上阶梯结构和下层间绝缘层逐渐增大的掺杂浓度；下接触插塞和上接触插塞，分别接触下栅电极和上栅电极。
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