墨盒使用的喷嘴带和墨盒

    公开(公告)号:CN100513183C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200510067468.3

    申请日:2005-04-25

    发明人: 李在哲

    IPC分类号: B41J2/175

    CPC分类号: B41J2/17536 B41J2/1753

    摘要: 一种用于墨盒的喷嘴带附接到墨盒,其包括:头芯片,设置有与所述头芯片的边缘隔开预定距离的头芯片安装部分的墨盒盒体,以及沿着所述头芯片的边缘突出的至少一个护条件,其中所述喷嘴带具有与所述头芯片和所述头芯片安装部分之间的隔开间隔流体联通的至少一个联通部分,以使得截留在所述喷嘴带下的空气通过所述联通部分与外部空气联通,由此紧密地附接所述喷嘴带到喷嘴,而不需考虑外部环境的变化。

    墨盒及墨盒制作方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100404267C

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:CN200510068845.5

    申请日:2005-05-12

    发明人: 李在哲

    IPC分类号: B41J2/175 B41J2/01

    摘要: 本发明提供具有粘性绝缘层的墨盒以及该墨盒的制作方法。该墨盒包括:盒体、安装在盒体上表面的头芯片、和电连接到头芯片并联接到盒体上表面的柔性印刷电路,其中盒体和柔性印刷电路通过设置在盒体和柔性印刷电路之间的绝缘层相互粘接。此外,该墨盒的制作方法包括:在位于盒体上表面的头芯片安装部分上使用密封剂;在头芯片和柔性印刷电路的组件的后表面上施加绝缘材料,该组件上形成了导电迹线;将头芯片联接到头芯片安装部分;并热压柔性印刷电路以将柔性印刷电路联接到盒体上表面。

    墨盒用供墨系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1872559A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200510128853.4

    申请日:2005-12-07

    IPC分类号: B41J2/175

    CPC分类号: B41J2/175

    摘要: 一种墨盒用供墨系统包括墨罐和负压调节器。墨罐内容纳预定颜色的墨,且具有设在其下部上以从该墨罐分配墨的出口。负压调节器可与墨罐连接,且具有主体、从该主体的上部伸出的针状件、以及围绕该针状件设置以相对于该针状件垂直移动的针保护件。当墨罐与负压调节器装配到一起时,出口向下压针保护件,且针状件从该针保护件伸入出口内。

    三维半导体存储器装置和包括其的电子系统

    公开(公告)号:CN116615031A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310049127.1

    申请日:2023-02-01

    摘要: 公开了一种三维半导体存储器装置和包括该三维半导体存储器装置的电子系统。该半导体存储器装置可包括:衬底,其包括第一区域和第二区域;多个堆叠件,其包括第一堆叠件和第二堆叠件,每个堆叠件包括衬底上的层间绝缘层和与层间绝缘层交替堆叠的栅电极,并且在第二区域上具有台阶结构;绝缘层,其位于第一堆叠件的台阶结构上;多个竖直沟道结构,其设置在第一区域上以穿透第一堆叠件;以及分离结构,将第一堆叠件和第二堆叠件彼此分离。绝缘层可包括一种或多种掺杂剂,并且绝缘层的掺杂剂浓度可随着距衬底的距离的增加而减小。

    具有掺杂的层间绝缘层的半导体装置以及电子系统

    公开(公告)号:CN114765186A

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202111482453.9

    申请日:2021-12-07

    IPC分类号: H01L27/11582 H01L21/768

    摘要: 提供了具有掺杂的层间绝缘层的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括:下存储器堆叠体,设置在基底上并且包括下栅电极和下阶梯结构;上存储器堆叠体,包括上栅电极和上阶梯结构;下层间绝缘层,掺杂有杂质并且覆盖下阶梯结构,下层间绝缘层具有朝向下阶梯结构逐渐增大的掺杂浓度;上层间绝缘层,掺杂有杂质并且覆盖上阶梯结构和下层间绝缘层,上层间绝缘层具有朝向上阶梯结构和下层间绝缘层逐渐增大的掺杂浓度;下接触插塞和上接触插塞,分别接触下栅电极和上栅电极。