-
公开(公告)号：CN111816584B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010248840.5
申请日：2020-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。
-
公开(公告)号：CN109797379A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN107393928B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710328970.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
-
公开(公告)号：CN111816584A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010248840.5
申请日：2020-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。
-
公开(公告)号：CN109797379B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114725115A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111638773.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , G11C7/18 , G11C16/04
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种数据存储系统。所述半导体器件包括：存储单元结构，位于衬底上；以及虚设单元，位于所述存储单元结构的一侧。所述存储单元结构包括：存储堆叠结构，包括交替堆叠在所述衬底上的层间绝缘层和栅电极；沟道结构，穿透所述存储堆叠结构并接触所述衬底；以及第一分隔结构，穿透所述存储堆叠结构并在第一方向上延伸，以在第二方向上将所述栅电极彼此分隔开。所述虚设结构包括：虚设堆叠结构，与所述存储堆叠结构间隔开并且包括交替堆叠的第一绝缘层和虚设栅电极；虚设沟道结构，穿透所述虚设堆叠结构；和第二分隔结构，穿透所述虚设堆叠结构，并且在所述第二方向上延伸以在所述第一方向上将所述虚设栅电极彼此分隔开。
-
公开(公告)号：CN112614847A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010796314.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件可以包括：堆叠结构，所述堆叠结构位于衬底上，所述堆叠结构包括多个介电层和多个透明导电氧化物层，所述介电层和所述透明导电氧化物层交替地堆叠，沿竖直方向彼此相邻的每个所述介电层和所述透明导电氧化物层中的相应的透明导电氧化物层具有基本相等的水平宽度；以及沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述堆叠结构，所述沟道结构包括信息存储层、位于所述信息存储层的内部的沟道层和位于所述沟道层的内部的掩埋介电层。
-
公开(公告)号：CN109473437A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
-
公开(公告)号：CN101714576A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175709.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C11/40 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。
-
公开(公告)号：CN110896101B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910862596.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B41/30 , H10B41/27 , H10B43/30 , H10B43/27
Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
