公开(公告)号：CN109994473B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201811514995.8

申请日：2018-12-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  李柱泳 ,  高次元 ,  李永澈

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。

公开(公告)号：CN109727899A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811256002.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵豆植 ,  林亢龙 ,  高世元 ,  李允美 ,  金振湖 ,  朴正大 ,  李玟仙 ,  李永澈

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67353 ,  H01L21/67359 ,  H01L21/67393

摘要： 一种基板载体可以包括载体主体和第一传感器单元。载体主体可以包括内部空间、入口和出口。内部空间可以被配置为接收基板。吹扫气体可以通过入口引入到内部空间中。内部空间中的气体可以通过出口排出。第一传感器单元可以在出口处并且被配置为实时检测内部空间的环境属性。因此，可以准确地识别载体主体中污染物的产生或起因。

公开(公告)号：CN109727899B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201811256002.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵豆植 ,  林亢龙 ,  高世元 ,  李允美 ,  金振湖 ,  朴正大 ,  李玟仙 ,  李永澈

IPC分类号： H01L21/673

摘要： 一种基板载体可以包括载体主体和第一传感器单元。载体主体可以包括内部空间、入口和出口。内部空间可以被配置为接收基板。吹扫气体可以通过入口引入到内部空间中。内部空间中的气体可以通过出口排出。第一传感器单元可以在出口处并且被配置为实时检测内部空间的环境属性。因此，可以准确地识别载体主体中污染物的产生或起因。

公开(公告)号：CN109994473A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811514995.8

申请日：2018-12-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  李柱泳 ,  高次元 ,  李永澈

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。