公开(公告)号：CN107104095B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201710229267.1

申请日：2017-04-10

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 崔冶青 ,  黄然 ,  邓建宁

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L28/60 ,  G01R27/2605 ,  G01R31/2639 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供了一种层间电容的控制方法及控制系统，对每层金属层进行研磨的过程均包括：对当前金属层进行研磨；量测研磨后的当前金属层的厚度，得到当前金属层的量测厚度；基于当前金属层的厚度及之前的金属层的厚度对后续金属层的目标厚度进行规划：截止到当前金属层的层间电容之和与电容目标值的差值由后续金属层研磨工艺根据各金属层的工艺能力分别进行补偿，从而得到后续每层金属层的规划目标厚度；进一步地，对当前金属层的厚度进行判断，是否需要返工以及返工需研磨掉的厚度，直到当前金属层达到预期的目标值或由于厚度偏小已经无法进行返工，重复上述过程，从而对后续各个金属层的目标厚度进行实时调整，得到接近目标值的层间电容规划。

公开(公告)号：CN109659262A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811575332.7

申请日：2018-12-21

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 梅园

IPC分类号： H01L21/67 ,  G02F1/13

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G02F1/1309

摘要： 本发明提供一种蚀刻监测装置及蚀刻监控方法。所述蚀刻监测装置包括：多个监测单元，每一个监测单元均包括一个入射光源和一个与该入射光源对应的信号处理模块；每一个入射光源对应待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域设置，不同的入射光源对应不同的蚀刻区域；所述入射光源用于向其对应的蚀刻区域发射入射光；所述信号处理模块，用于接收反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号，通过监测各个信号处理模块转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态，能够有效监测蚀刻过程，为蚀刻质量分析提供准确的数据，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。

公开(公告)号：CN109637946A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201710928112.7

申请日：2017-10-09

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种半导体批处理生产设备及半导体批处理系统。半导体批处理生产设备的晶舟承载器上设置有感应侦测装置，感应侦测装置包括用于感应侦测晶舟承载器的水平状态的水平传感器及感应侦测晶舟承载器的振动状态的振动传感器，其具有安装、拆卸及使用方便、成本低廉、感应侦测灵敏等优点。本发明的半导体批处理生产设备通过感应侦测装置实时感知晶舟承载器的水平状态和振动状态，能够避免在晶舟承载器水平失衡或/和振动异常的情况下仍将晶舟放置于晶舟承载器上，以及在晶舟放置于晶舟承载器的情况下通过监测晶舟承载器而能实时监测晶舟的状态以避免生产事故；批处理系统充分利用半导体制造厂中的现有设施实现对生产过程的有效监控。

公开(公告)号：CN109585262A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711287798.2

申请日：2017-12-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡美慧 ,  王孝义 ,  廖彦闵 ,  卢伯胜

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67057 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67253 ,  H01L23/60 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明的实施例提供一种清洁半导体衬底的方法。所述方法包括以下步骤：在以第一旋转频率旋转所述半导体衬底的同时，向所述半导体衬底的顶表面上施加第一药剂；在以第二旋转频率旋转所述半导体衬底的同时，将所述半导体衬底浸没在第二药剂中；以及在向所述半导体衬底的所述顶表面上引入第三药剂的同时，以第三旋转频率旋转所述半导体衬底。所述第一旋转频率可大于所述第三旋转频率且所述第三旋转频率大于所述第二旋转频率。在一些实施例中，所述第二旋转频率为零，且所述半导体衬底在所述浸没步骤期间保持静止。

公开(公告)号：CN109473511A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811063800.2

申请日：2018-09-12

申请人： 华灿光电(苏州)有限公司

发明人： 王倩 ,  洪威威 ,  陆香花 ,  周飚 ,  胡加辉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/67253 ,  H01L33/025

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长有源层；在由氢气形成的生长气氛中，在所述有源层上生长第一P型半导体层；在由氮气形成的生长气氛中，在所述第一P型半导体层上生长第二P型半导体层；其中，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均包括多个氮化镁层和多个掺杂镁的氮化镓层，所述多个氮化镁层和所述多个掺杂镁的氮化镓层交替层叠设置。本发明可以提高P型半导体层中的空穴浓度，最终提高LED的发光效率。

公开(公告)号：CN109192680A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810982766.2

申请日：2018-08-27

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 苏界 ,  徐融 ,  顾立勋 ,  杨永刚 ,  蒋阳波 ,  孙文斌

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67075 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67265

摘要： 本发明涉及一种化学液槽装置，包括：化学液槽体，用于盛放化学液；循环单元，包括连接所述化学液槽体的循环管路，所述循环管路一端连接至所述化学液槽体的溶液输出端，另一端连接至所述化学液槽体内的喷嘴，化学液自所述化学液槽体的溶液输出端流出，经过所述循环管路后通过所述喷嘴喷出而进入所述化学液槽体内；浓度调整单元，包括支管路，所述支管路的输入端和输出端分别通过三通阀连接至所述循环管路，且所述支管路的路径上设置有离子源容器，所述离子源容器两端与所述支管路连通，用于放置离子源物质。所述化学液槽装置能够自动调整化学液内的杂质离子浓度。

公开(公告)号：CN108987252A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710764181.9

申请日：2017-08-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 水口靖裕

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G06F11/3013 ,  G06F11/3409 ,  H01J37/32522

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。要解决的问题为能够容易地掌握处理室的状态。为解决上述问题，提供一种具有下述工序的技术：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于处理室的加热部、和控制处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在处理室中存在衬底的状态下，控制加热部和气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示处理室的状态的第二处理室数据进行检测；在衬底处理工序中，将第一处理室数据及第二处理室数据、与预先取得的预热工序中的第一基准数据及衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。

公开(公告)号：CN108807244A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810926117.0

申请日：2018-08-15

申请人： 九江市旭阳光电科技有限公司

发明人： 陈胜礼 ,  孙茂斌 ,  朱文明 ,  杨小川 ,  桑健忠

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68764

摘要： 一种光伏组件电池串抓取平移系统，包括承重光轴导轨，所述承重光轴导轨两端固定有皮带轮，2个皮带轮经皮带连接，承重光轴导轨的一端还设有与其中1个皮带轮相连接的伺服电机，所述承重光轴导轨上经直线轴承连接有支架，支架的两侧固定有垂直导轨，垂直导轨上设有滑块，所述支架内固定有气动装置，气动装置的输出端连接置于支架下端的吸盘架，所述吸盘架的两端分别与2个滑块连接，吸盘架的下端连接有空心旋转轴，空心旋转轴上均匀设有多个铝条，铝条上连接有吸盘，所述空心旋转轴的端部还设有旋转气动装置。该系统工作原理是通过两个不同功能的气缸，分别进行升降抓取，旋转进行观察、检查电池串，配合伺服电机进行移动，具有重量较轻，移动平稳，停止位准确，不抖动，速度较快，结构简单，易保养，易维修的优点。

公开(公告)号：CN108807237A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810674274.7

申请日：2018-06-27

申请人： 深圳市矽谷科技有限公司

发明人： 钟浩 ,  陈勇伶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明公开了一种固晶工艺结构、固晶机及固晶控制方法，所述固晶工艺结构包括固晶臂控制机构、引线框架夹具、顶针装置及晶元装置；引线框架与晶元在同一水平面，固晶臂控制机构位于水平面上方，顶针装置位于晶元下方；晶元分为两个区域，顶针装置位于其中一个区域的中心位置；本发明将晶元分为两个区域，顶针装置设置在其中一个分区范围的中心位置；当其中一个分区范围内的晶片拾取完毕后，晶元装置自动旋转180°，用于拾取晶元剩下的另一个分区，同时引线框架夹具自动旋转180°，保证引线框架与晶片的方向一致性，实现快速稳定抓取晶片，提高生产效率、速度及精度。

公开(公告)号：CN108780761A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016905.X

申请日：2017-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 凯文·布拉希尔 ,  阿什利·M·奥卡达 ,  丹尼斯·L·德玛斯 ,  叶祉渊 ,  杰德夫·拉贾拉姆 ,  玛塞勒·E·约瑟夫森

IPC分类号： H01L21/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05D11/132 ,  H01L21/67017

摘要： 方法及气体流量控制组件被配置为以所需流量比例输送气体至处理腔室区。在一些实施方式中，组件包含一个或更多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包含控制器、处理气体源、分配歧管、耦接至分配歧管且被配置为感测分配歧管的背压的压力传感器、处理腔室、连接在分配歧管与处理腔室之间以控制其间气体流动的一个或更多个质量流量控制器、及与一个或更多个质量流量控制器以流体并联关系提供的背压控制器，其中达到精确流量比例控制。替代实施方式包含上游压力控制器，被配置为控制载气的流动以控制背压。作为其他方面，描述了用于控制分区气体流量比例的进一步的方法及组件。