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公开(公告)号:CN102347216A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110212094.5
申请日:2011-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L27/10891 , G03F7/40 , H01L21/0206 , H01L21/823842 , H01L27/0207 , H01L27/10876 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66606
Abstract: 本发明提供了使用酸扩散制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括:在基板上的第一区域上形成抗蚀剂图案;使包括酸源的除渣溶液接触抗蚀剂图案和基板的第二区域;通过使用从除渣溶液中的酸源获得的酸来分解保留在基板的第二区域上的抗蚀剂残留物;以及从基板去除分解的抗蚀剂残留物和除渣溶液。
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公开(公告)号:CN101656057A
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200910137263.6
申请日:2009-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/2096 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2330/021
Abstract: 一种时序控制装置包括存储器部、多时序控制部、和电源部。存储器部用于存储数据。多时序控制部包括多个时序控制器并输出用于控制功率的输出时序的功率控制信号,该时序控制器响应于复位信号而从存储器部顺次读取所存储的数据。该电源部响应于功率控制信号来输出功率。
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