公开(公告)号：CN108615789A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810293240.3

申请日：2018-03-30

Applicant: 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

Inventor： 王东 ,  金井升 ,  刘长明 ,  张昕宇 ,  金浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/0206 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种去除绕镀的方法，包括：步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。所述去除绕镀的方法，通过采用SiON掩膜层做掩膜的方法，对正面的BSG层进行保护，使得现有的生产线PECVD设备即可，后期清洗只需要简易的槽式设备，化学试剂为太阳能电池生产常用化学试剂，工艺窗口大，量产型较好，能够完全去除背面绕镀，提高开压和短路电流，提升使得电池的转换效率的同时，不用增加新的设备，增加成本较少。

公开(公告)号：CN108475634A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006126.1

申请日：2017-01-11

Applicant: 马特森技术有限公司

Inventor： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  马绍铭 ,  维贾伊·M·瓦尼亚普拉 ,  赖恩·M·帕库尔斯基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273

Abstract: 提供了用于使用可变图案分离网格在等离子体处理设备中处理衬底的系统、方法和设备。在一个示例实现方式中，等离子体处理设备可以具有等离子体室和与等离子体室分离的处理室。该设备还可以包括将等离子体室与处理室分离的可变图案分离网格。可变图案分离网格可以包括多个网格板。每个网格板可以具有一个或更多个孔的网格图案。该多个网格板中的至少一个网格板可以相对于该多个网格板中的其他网格板移动，使得可变图案分离网格可以提供多个不同的复合网格图案。

公开(公告)号：CN103972045B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310503545.X

申请日：2013-10-23

Applicant: 株式会社 ,  东芝

Inventor： 小出辰彦 ,  小川义宏 ,  清利正弘

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及半导体制造设备及半导体器件的制造方法。根据本实施例的半导体制造设备包括腔。配置化学剂供给部分以向所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给憎水剂或有机溶剂。配置喷射部分以将捕获水的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。

公开(公告)号：CN105051872B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

公开(公告)号：CN108122769A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710718888.6

申请日：2017-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  詹佳玲 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  高琬贻 ,  王立廷 ,  聂俊峰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 提供鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。

公开(公告)号：CN107871693A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710864350.6

申请日：2017-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 东岛治郎 ,  绪方信博 ,  桥本佑介

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B05B12/10 ,  B05B14/40 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715

Abstract: 提供一种基板处理装置和处理液供给方法。能够更准确地进行利用期望的温度的SPM液的处理。该基板处理装置具备：处理液供给机构(70)，其向基板供给SPM液；温度调整部(加热器)(303)，其用于对从处理液供给机构(70)向基板供给时的SPM液的温度进行调整；获取部(温度传感器)(80)，其用于获取基板的表面上的SPM液的温度信息；以及控制部(18)，其根据由获取部(温度传感器)(80)获取到的SPM液的温度信息来设定温度调整部(加热器)(303)中的调整量，其中，温度调整部(加热器)(303)基于由控制部(18)设定的调整量来对向基板供给时的SPM液的温度进行调整。

公开(公告)号：CN107810261A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680030221.0

申请日：2016-04-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 稻冈诚二 ,  W·J·小卡斯特尔 ,  R·N·弗蒂斯 ,  K·E·希尔多欧 ,  陈天牛 ,  M·R·布朗

IPC: C11D3/16 ,  C11D3/36 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09D4/00 ,  B08B3/10 ,  B81C1/00849 ,  C11D3/162 ,  C11D3/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了处理组合物和通过使用处理组合物处理衬底表面的方法，和其上具有所述处理组合物的半导体或MEMS衬底。

公开(公告)号：CN107331598A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201610273438.6

申请日：2016-04-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 谢志勇

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/0206

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有功能材料叠层和离子注入掩膜层；以所述离子注入掩膜层为掩膜对所述功能材料叠层进行离子注入；去除所述离子注入掩膜层；对所述功能材料叠层的表面进行清洗，所述清洗方法包括氨溶液-过氧化氢溶液混合液的热清洗步骤、稀释HF的清洗步骤和O3清洗步骤。通过所述方法可以完全去除所述功能材料叠层上存在的残留物，解决目前工艺中的隆起缺陷(worse bump defect)。

公开(公告)号：CN107293478A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710190268.X

申请日：2017-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李中杰 ,  曾鸿辉 ,  杨棋铭

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02082

Abstract: 本发明实施例提供一种去除聚合物的方法。施加水溶液到在其上设置有聚合物的半导体工件上。水溶液包括被构造为响应于能量而生成活性自由基的能量接收器。施加能量到水溶液上以在水溶液中生成活性自由基并去除聚合物。本发明还提供了一种生成所述活性自由基的处理工具。本发明实施例涉及用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理。

公开(公告)号：CN107170665A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710370095.X

申请日：2017-05-23

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 李阳柏 ,  赵庆鹏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/0206

Abstract: 本发明提出一种在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损伤的方法，包括下列步骤：将过量氮气通入氢氟酸溶液中，使得其中的氧气析出，从而降低氧含量；将硅片浸入所述氢氟酸溶液中进行清洗处理后取出；将所述硅片进行水洗干燥处理。本发明提出的在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损伤的方法，能够有效解决氢氟酸清洗硅片过程中因溶解氧引起的凹坑缺陷问题。