公开(公告)号：CN108695391A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810288244.2

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金庆燮 ,  金贞林 ,  李载明 ,  吴兴锡 ,  林莲花 ,  全众源

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。

公开(公告)号：CN108695391B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201810288244.2

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金庆燮 ,  金贞林 ,  李载明 ,  吴兴锡 ,  林莲花 ,  全众源 ,  金成玟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。