公开(公告)号：CN111952451A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010391526.2

申请日：2020-05-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许哲准 ,  朴敬培 ,  朴性俊 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  白铁 ,  申智琇 ,  陈勇完 ,  洪慧林

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

摘要： 提供了光电转换器件、有机传感器和电子装置。一种光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机光电转换层、以及在第一电极与有机光电转换层之间的电荷辅助层。有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并将所吸收的光转换成电信号。电荷辅助层包括金属和氧化物。该氧化物可以是排除硅氧化物的氧化物材料使得电荷辅助层不包括硅氧化物。

公开(公告)号：CN111192962A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911034343.9

申请日：2019-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许哲准 ,  朴敬培 ,  姜铉范 ,  朴性俊 ,  朴正一 ,  白铁 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  李敦旭 ,  李恩庆 ,  陈勇完 ,  崔容硕 ,  崔泰溱

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

摘要： 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。

公开(公告)号：CN112645944A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011077898.4

申请日：2020-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔泰溱 ,  朴正一 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  林允熙 ,  崔容硕 ,  洪慧林

IPC分类号： C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  H01L51/42 ,  H01L27/32 ,  H01L51/46

摘要： 公开了化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物具有化学式1。在化学式1中，各基团和参数的定义如具体实施方式中所描述的。[化学式1]。

公开(公告)号：CN111952452A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010411126.3

申请日：2020-05-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 涩谷宽政 ,  白铁 ,  松尾豊 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  申智琇 ,  李启滉 ,  崔容硕 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

摘要： 公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1-R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN109694374A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC分类号： C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

CPC分类号： C07D421/04 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/0816 ,  C07F7/30 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1096 ,  C07D421/14 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0094

摘要： 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111192962B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911034343.9

申请日：2019-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许哲准 ,  朴敬培 ,  姜铉范 ,  朴性俊 ,  朴正一 ,  白铁 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  李敦旭 ,  李恩庆 ,  陈勇完 ,  崔容硕 ,  崔泰溱

IPC分类号： H10K30/60 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

摘要： 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。

公开(公告)号：CN109694374B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC分类号： C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H10K85/40 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

摘要： 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN115241231A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210429808.6

申请日：2022-04-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金亨柱 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  崔泰溱 ,  许哲准

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开光吸收传感器、嵌入有传感器的显示面板和电子设备。所述嵌入有传感器的显示面板包括：基板、在所述基板上并且包括光发射层的光发射元件、和在所述基板上并且包括光吸收层的光吸收传感器，所述光吸收层沿着所述基板的面内方向与所述光发射层平行地布置。所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、或其任意组合的光。所述光发射层包括第一有机材料并且所述光吸收层包括第二有机材料。所述第一和第二有机材料的相应升华温度之间的差值小于或等于约150℃，其中各升华温度为在约10Pa或更小的环境压力下的热重分析期间发生相对于初始重量的10％的重量减小时的温度。

公开(公告)号：CN115677470A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210909618.4

申请日：2022-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金亨柱 ,  房非非 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱

IPC分类号： C07C49/683 ,  C07C255/40 ,  C07D333/78 ,  C07D345/00 ,  C07D409/06 ,  C07D409/14 ,  C07D421/04 ,  C07D421/06 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D495/04 ,  C07D498/04 ,  C07D517/04 ,  C07D517/16 ,  C07F7/08 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K59/35 ,  H10K39/34 ,  H10K30/60 ,  H10K50/125

摘要： 公开化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，G、R1、R2、R3、X1、Ar1和Ar2各自与说明书中相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN112786787A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011222305.9

申请日：2020-11-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申智琇 ,  朴敬培 ,  朴性俊 ,  朴正一 ,  林宣晶 ,  林允熙 ,  崔容硕 ,  崔泰溱

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

摘要： 本发明涉及光电转换器件、传感器和电子设备。光电转换器件包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层。所述光电转换层包括：第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料配置成形成pn结；以及不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。所述第三材料包括吸电子基团。