公开(公告)号：CN106953068B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201610821696.3

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 绪方健 ,  武井康一 ,  李康熙 ,  李炳善 ,  李在洺 ,  林珉愚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M4/134

Abstract: 公开了电极活性材料、包括其的电极和二次电池、及其制备方法。所述电极活性材料包括二次颗粒，所述二次颗粒包括：多个包括含硅材料的一次颗粒；导电材料；和化学交联的水不溶性的聚合物。

公开(公告)号：CN109390578B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810418366.9

申请日：2018-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 绪方健 ,  高东秀 ,  全盛湖 ,  武井康一 ,  韩圣洙 ,  李准浩

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及拓扑量子框架、包括其的复合负极活性材料、负极、锂电池、半导体和器件、及其制备方法。拓扑量子框架包括设置在不同的方向上且彼此连接的多个一维纳米结构体，其中所述多个一维纳米结构体的一维纳米结构体包括包含能够引入和脱出锂的金属的第一成分，和其中所述拓扑量子框架是多孔的。

公开(公告)号：CN109390578A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810418366.9

申请日：2018-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 绪方健 ,  高东秀 ,  全盛湖 ,  武井康一 ,  韩圣洙 ,  李准浩

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01M4/364 ,  G01N27/127 ,  H01M4/044 ,  H01M4/0445 ,  H01M4/0461 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/60 ,  H01M4/622 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  B82Y40/00 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及拓扑量子框架、包括其的复合负极活性材料、负极、锂电池、半导体和器件、及其制备方法。拓扑量子框架包括设置在不同的方向上且彼此连接的多个一维纳米结构体，其中所述多个一维纳米结构体的一维纳米结构体包括包含能够引入和脱出锂的金属的第一成分，和其中所述拓扑量子框架是多孔的。

公开(公告)号：CN106953068A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610821696.3

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 绪方健 ,  武井康一 ,  李康熙 ,  李炳善 ,  李在洺 ,  林珉愚

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M4/364 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M4/622 ,  H01M4/624 ,  H01M4/625 ,  H01M4/626 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M12/08 ,  Y02E60/128 ,  H01M4/628

Abstract: 公开了电极活性材料、包括其的电极和二次电池、及其制备方法。所述电极活性材料包括二次颗粒，所述二次颗粒包括：多个包括含硅材料的一次颗粒；导电材料；和化学交联的水不溶性的聚合物。